公开(公告)号：CN105420277B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201510770230.0

申请日：2015-11-12

Applicant: 上海大学 ,  上海应用技术学院

Inventor： 邓维 ,  张薇 ,  刘梦艳 ,  洪诗斌 ,  姚子健 ,  张建勇 ,  周龙

IPC: C12N15/87 ,  C08G83/00 ,  A61K48/00 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明公开了一种聚酰胺‑胺超支化基因载体，其原料包括A物料，B物料，C物料及三乙胺；A物料分子式为：C2(n‑1)H5n‑2Nn,其中n＝2,3,4,5；C物料结构式为：其中n＝0,1,2,3,4,5,6，R＝CmH2m+1，m＝1,2,3,4,5；B物料结构式为：n＝1,2,3,4,5,6；或x＝y＝1,2,3,4,5,6。本发明还公开了一种聚酰胺‑胺超支化基因载体的制备方法和应用。本发明支化程度好，用作基因载体时毒性小，缓冲能力好，可用作抗癌治疗，原料成本低，制备方法简单。

公开(公告)号：CN104003377A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410224126.7

申请日：2014-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 施利毅 ,  颜蔚 ,  禹文娟 ,  刘梦艳 ,  邓维 ,  付继芳

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种高比电容的还原氧化石墨烯的制备方法，通过对Hummers法制备的氧化石墨烯（GO）进行还原，制备高比电容的rGO。制备过程中：利用聚电解质阻止石墨烯片层堆积以提高其比表面积利用率；随后控制还原电位以保留GO的部分含氧官能团，从而产生一定的赝电容。制备的rGO在扫描速度为5mV/s时，比电容值高达387F/g，远高于已公开的rGO材料。而且在经受1500次的充放电后，比电容值仍为初始比电容值的94%。而且合成方法简单，对环境污染小，对设备要求低。

公开(公告)号：CN104003377B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410224126.7

申请日：2014-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 施利毅 ,  颜蔚 ,  禹文娟 ,  刘梦艳 ,  邓维 ,  付继芳

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种高比电容的还原氧化石墨烯的制备方法，通过对Hummers法制备的氧化石墨烯（GO）进行还原，制备高比电容的rGO。制备过程中：利用聚电解质阻止石墨烯片层堆积以提高其比表面积利用率；随后控制还原电位以保留GO的部分含氧官能团，从而产生一定的赝电容。制备的rGO在扫描速度为5mV/s时，比电容值高达387F/g，远高于已公开的rGO材料。而且在经受1500次的充放电后，比电容值仍为初始比电容值的94%。而且合成方法简单，对环境污染小，对设备要求低。

公开(公告)号：CN105420277A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510770230.0

申请日：2015-11-12

Applicant: 上海大学 ,  上海应用技术学院

Inventor： 邓维 ,  张薇 ,  刘梦艳 ,  洪诗斌 ,  姚子健 ,  张建勇 ,  周龙

IPC: C12N15/87 ,  C08G83/00 ,  A61K48/00 ,  A61P35/00

CPC classification number: C12N15/87 ,  A61K48/0041 ,  C08G83/006

Abstract: 本发明公开了一种聚酰胺-胺超支化基因载体，其原料包括A物料，B物料，C物料及三乙胺；A物料分子式为：C2(n-1)H5n-2Nn,其中n＝2,3,4,5；C物料结构式为：其中n＝0,1,2,3,4,5,6，R＝CmH2m+1，m＝1,2,3,4,5；B物料结构式为：n＝1,2,3,4,5,6；或x＝y＝1,2,3,4,5,6。本发明还公开了一种聚酰胺-胺超支化基因载体的制备方法和应用。本发明支化程度好，用作基因载体时毒性小，缓冲能力好，可用作抗癌治疗，原料成本低，制备方法简单。