渐逝波激发半导体量子点光纤放大器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102096272B

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201010616555.0

    申请日:2010-12-31

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明述及一种渐逝波激发半导体量子点光纤放大器及其制备方法。它包括一个泵浦光源、一个信号光源、一个波分复用器和一个光纤放大器,所述泵浦光源和信号光源分别通过光纤连接波分复用器的两个输入端,波分复用器的输出端连接光纤放大器的输入端。所述光纤放大器是一段锥形光纤,该锥形光纤表面涂覆一层半导体量子点薄膜,所述的量子点薄膜材料折射率低于锥形光纤的材料折射率,从而使在锥形光纤中传输的光波能通过渐逝波激发半导体量子点薄膜层释放出光子,实现信号光放大。本发明制备方法简单,且实现了宽光谱,价格低,体积小,能广泛应用于长距离、大容量、高速率的通信系统,接入网,光纤CATV网,FTTH和光纤传感的光信号放大等领域。

    渐逝波激发半导体量子点光纤放大器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102096272A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201010616555.0

    申请日:2010-12-31

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明述及一种渐逝波激发半导体量子点光纤放大器及其制备方法。它包括一个泵浦光源、一个信号光源、一个波分复用器和一个光纤放大器,所述泵浦光源和信号光源分别通过光纤连接波分复用器的两个输入端,波分复用器的输出端连接光纤放大器的输入端。所述光纤放大器是一段锥形光纤,该锥形光纤表面涂覆一层半导体量子点薄膜,所述的量子点薄膜材料折射率低于锥形光纤的材料折射率,从而使在锥形光纤中传输的光波能通过渐逝波激发半导体量子点薄膜层释放出光子,实现信号光放大。本发明制备方法简单,且实现了宽光谱,价格低,体积小,能广泛应用于长距离、大容量、高速率的通信系统,接入网,光纤CATV网,FTTH和光纤传感的光信号放大等领域。

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