公开(公告)号：CN101100295A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710042739.9

申请日：2007-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王燕 ,  余岢 ,  岳桢干

IPC: C01B25/30

Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属晶体材料制备技术领域。本发明制备步骤如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切割成大小相同的两段，选择两个要相对粘贴的锥面，将该两锥面用细砂纸磨大并磨成相同大小；然后将两段晶体粘贴到有机玻璃板上，磨大的两个锥面互相平行且间隔1.5cm，另外的两个锥面处在一条直线上；将上述粘贴好的晶体放在事先配制好的饱和磷酸二氢钾溶液中，控制晶体生长的温度条件，并按设计的程序降温，使晶体在溶液中良好生长，整个生长温度区域为50～40℃，最后温度降至室温，最终制得两光轴成90°的KDP孪晶。

公开(公告)号：CN100509618C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710042739.9

申请日：2007-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王燕 ,  余岢 ,  岳桢干

IPC: C01B25/30

Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属晶体材料制备技术领域。本发明制备步骤如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切割成大小相同的两段，选择两个要相对粘贴的锥面，将该两锥面用细砂纸磨大并磨成相同大小；然后将两段晶体粘贴到有机玻璃板上，磨大的两个锥面互相平行且间隔1.5cm，另外的两个锥面处在一条直线上；将上述粘贴好的晶体放在事先配制好的饱和磷酸二氢钾溶液中，控制晶体生长的温度条件，并按设计的程序降温，使晶体在溶液中良好生长，整个生长温度区域为50～40℃，最后温度降至室温，最终制得两光轴成90°的KDP孪晶。