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公开(公告)号：CN118073166A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410210904.0
申请日：2024-02-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01J37/32 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种光电子能谱仪XPS离子束刻蚀位置校正方法，属于离子束应用技术领域，包括：制备用于刻蚀校正的样品；通过小步长依次微调离子束刻蚀偏离电压，离子束束斑，改变样品刻蚀位置；通过改变样品刻蚀位置调整离子束束斑作用位置，使所述离子束束斑作用位置偏离中心逐步变小，直至调整到准确的中心位置。本发明可快速、方便、通过简单调整离子束作用参数达到校正离子束刻蚀位置，设计方便、快速，成本较低，实用性更强，可广泛应用于金属材料、薄膜材料、半导体、微电子等领域，也可在其它离子束领域广泛应用，有着广阔的应用前景。
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