公开(公告)号：CN102467967B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201010541843.4

申请日：2010-11-12

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 楼冰泳 ,  廖少武 ,  祝崇智

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种用于电可擦写只读存储器的读出电路和读出方法，该读出电路包含比较器，参考电阻，传感电阻，参考单元和存储单元，该读出电路中仅需要配置一个参考单元，在进行读操作的过程中利用了同一个参考单元，参考单元的阈值电压设置为中性阈值电压，并且参考单元控制栅上的电压也设置为固定值，从而显著减少了制造过程中的配置时间，而加在存储单元控制栅上的阈值是随工作模式变化的，同时，由于读操作及编程校验操作时加在存储单元控制栅上的电压相对以往技术更低，因此栅电压应力效应减少，参考单元的阈值电压被设置在中性阈值电压附近，使得参考单元的阈值电压更加稳定。

公开(公告)号：CN118675585A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310269341.8

申请日：2023-03-17

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 廖少武 ,  董艺 ,  祝崇智 ,  杨攀 ,  郝香池 ,  唐楠 ,  柏殷实

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30 ,  G11C16/32 ,  G11C16/04 ,  G11C5/02

Abstract: 本发明公开一种非挥发存储器阵列及其驱动电路、擦除方法，该存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。本发明方案可以缩小存储器阵列面积，并保证对存储单元擦写的可靠性和性能。