公开(公告)号：CN104681551A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310650573.4

申请日：2013-12-03

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 邹荣 ,  蒋德军 ,  程玉华

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了用于照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装，QuadFlatNoLead)封装结构，包括了系统三个主要发热量较大的芯片子模块：PWM(脉冲宽度调制，PulseWidthModulation)控制器，功率MOS(金氧半场效晶体管，MetalOxideSemiconductor)管，肖特基整流二极管。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，并且解决了芯片的散热问题，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。

公开(公告)号：CN104681517A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310650663.3

申请日：2013-12-03

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 陆宇 ,  蒋德军 ,  程玉华

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于大功率道路照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装，Quad Flat No Lead)封装结构，包括了占用系统面积较大的芯片子模块：PWM(脉冲宽度调制，Pulse Width Modulation)控制器，功率MOS(金氧半场效晶体管，Metal Oxide Semiconductor)管，基岛，围绕所述基岛布置的多个焊盘，所述封装结构的封装空间内填充的绝缘材质。其中，所述不同芯片设置在基岛上，至少一个所述焊盘与所述基岛连通，其余焊盘通过金线与所述芯片连接。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。