公开(公告)号：CN105097925A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216641.0

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  花银东 ,  蒋乐乐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提出了一种新的SOI LDMOS器件结构，该结构包括半导体衬底层，介质埋层，顶层硅以及场氧层。其中介质埋层采用低K介质材料，顶层硅中漂移区采用分区梯级掺杂，漂移区上表面淀积场氧层，器件栅、漏级采用场板技术。

公开(公告)号：CN107547014A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610461783.2

申请日：2016-06-23

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 花银东 ,  陈佳星 ,  程玉华

IPC: H02P6/16

Abstract: 本发明提出基于隔离技术的无刷直流电机硬件系统结构。该结构包括：主控芯片，所述主控芯片为微控制器；两部分光耦隔离电路，所述光耦隔离电路使用光耦隔离芯片；驱动电路，所述驱动电路可以将脉冲宽度调制信号进行功率放大；逆变电路，所述逆变电路由功率管组成；无刷直流电机，所述无刷直流电机带有霍尔传感器。