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公开(公告)号:CN105097928A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216651.4
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构,其中主要包括埋层结构,埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压;源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区,漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。
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公开(公告)号:CN107548183A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610461606.4
申请日:2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明涉及采用无线通信方式的LED驱动芯片,所述驱动芯片在上电时,通过I2C总线接口电路将非易失性存储单元中的地址信息配置给驱动芯片;所述驱动芯片接收无线射频模块的串行数据;在信号传输过程中根据接收到的单线信号,产生同步采样时钟,并采集数据,进而对单线信号进行密勒码解码;协议解析模块对数据帧进行解包操作,提取帧头、指令和数据信息,将匹配本地地址信息的数据接收下来,并根据本地解码得到的数据对显示输出模块进行控制,从而实现显示输出。
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