公开(公告)号：CN107547326A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610461425.1

申请日：2016-06-23

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 曲凯 ,  程玉华

IPC: H04L12/40

Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的控制器局域网IP核。所述控制器局域网IP核在FPGA上实现。本发明提供的控制器局域网IP核，具有三种接口方式，接收数据采用接收FIFO（先进先出）设计，使控制器局域网控制器在被微处理器在读取数据的同时接收来自总线上的数据。本发明的控制器局域网IP核包括接口管理单元，错误管理逻辑，位时序逻辑，位流处理器，验收滤波，接收FIFO，发送缓冲器。将专用的芯片实现功能设计成IP核，便于在嵌入式系统设计中移植，节约电路板面积，降低成本，可移植性强；可根具实际需要对引脚和接口进行修改，便于与微控制器IP集成，缩短系统开发时间。

公开(公告)号：CN105097920A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216630.2

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张炯 ,  曲凯 ,  徐帆 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种新的可用于集成电路的具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压金属氧化物半导体场效应管器件，本发明公开了一种新型SOI高压器件的结构，器件在使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来提高横向击穿电压的同时；其特征在于：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件通过在Si和埋层Si02界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。