公开(公告)号：CN102082183A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010517430.2

申请日：2010-10-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 施子涛 ,  程玉华

IPC: H01L29/87 ,  H01L27/02 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L29/87

Abstract: 本发明提供一种用于集成电路ESD保护的双向可控硅静电保护器件及系统。该ESD保护器件为2端口(A和K)的SCR器件，由结构包含五层(N1P2N3P4N5)结构中包含一个PNP三极管和2个NPN三极管，以及其中的串联寄生电阻。器件中间包含两个内建的NMOS管器件来降低器件的开启电压。使用该器件的全新篇静电保护系统较传统使用单向静电保护器件的系统相比在每个I/O管脚只需要使用一半数目的静电保护器件：在输入端或输出端分别只有两个该类型器件分别连接电源端和地端，从而完成被保护电路的全芯片静电保护。

公开(公告)号：CN105097798A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216652.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张炯 ,  施子涛 ,  徐帆 ,  程玉华

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明提供一种用于集成电路ESD保护的双向可控硅静电保护器件及系统。该ESD保护器件为2端口（A和K）的SCR器件，由结构包含五层（N1P2N3P4N5）结构中包含一个PNP三极管和2个NPN三极管，以及其中的串联寄生电阻。器件中间包含两个内建的NMOS管器件来降低器件的开启电压。使用该器件的全新篇静电保护系统较传统使用单向静电保护器件的系统相比在每个I/O管脚只需要使用一半数目的静电保护器件：在输入端或输出端分别只有两个该类型器件分别连接电源端和地端，从而完成被保护电路的全芯片静电保护。