公开(公告)号：CN105097642A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216627.0

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  张立君 ,  程玉华

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。

公开(公告)号：CN102130173A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010607832.1

申请日：2010-12-23

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张立君 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，涉及半导体60V BCD工艺中的高压器件领域，具体涉及一种带金属场板的LDMOS器件结构，此结构在不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。该方法包括调整POLY和金属场板尺寸及栅极的个数，使得器件性能参数得到较大改善。

公开(公告)号：CN102130172A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010607818.1

申请日：2010-12-23

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张立君 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。