公开(公告)号：CN105097922A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216632.1

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  俞佳佳 ,  蒋乐乐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了SOI功率LDMOS场效应晶体管及其制造方法，以提高击穿电压，其中该LDMOS结构，在半导体表面形成半圆形或弧形开口；进行离子注入，在所述开口处形成漏极缓变掺杂区，所述漏极缓变掺杂区环绕所述半圆形开口；在所述漏极缓变掺杂区内形成漏区。本发明的LDMOS结构栅极与漏极之间的漏极缓变掺杂区有一个半圆形的沟槽，使得漂移区的电势随着圆形沟槽底部变化，使得电场分布更加分散，从而提高了击穿电压。

公开(公告)号：CN105097921A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216631.7

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  俞佳佳 ,  蒋乐乐

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了SOI功率VDMOS场效应晶体管结构及其制造方法，所述VDMOS器件包括SOI衬底和外延层；位于外延层上方的栅极，所述栅极包括栅氧化层和多晶硅层；位于外延层内的阱区，以及位于阱区内的源区；位于所述栅极下方、外延层内的离子掺杂区；位于器件表面的绝缘应变层；位于绝缘应变层之上的层间介质，以及金属通孔。本发明中，通过所述离子掺杂区以增加栅极氧化层相对的外延层内耗尽层的宽度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度；通过在器件表面覆盖一层绝缘应变层，由于该绝缘应变层与半导体材料的晶格不匹配，将在半导体表面引入应力，进而改变半导体表面的晶格常数，使得载流子迁移率增加，导通电阻降低。