一种低熔点共聚酰胺热熔胶及其制备方法

    公开(公告)号:CN104559909B

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201510046786.5

    申请日:2015-01-29

    Abstract: 本发明涉及一种低熔点共聚酰胺热熔胶及其制备方法,该热熔胶的原料包括以下重量份的组分:己内酰胺50‑250份、尼龙66盐50‑250份、尼龙1010盐50‑250份、尼龙1012盐或尼龙1212盐50‑250份、封端剂5‑15份、抗氧化剂1‑10份。制备方法包括以下步骤:按重量法将各组分倒入带搅拌的高压反应釜中,封釜后用氮气置换3‑5次,然后充氮气至压力为1‑2MPa;加热至240℃,搅拌,调节压力为1.2‑2.8MPa,反应1‑4h后,在30min内减至常压,并且升高温至250‑280℃,继续反应1‑4h,降温至180℃,停止搅拌,静置30分钟,出料至水槽,拉丝,切粒、干燥;粒子用液氮深冷粉碎过80目筛分,得到共聚酰胺热熔胶白色粉末。与现有技术相比,本发明具有低熔点、耐水洗、耐溶剂、粘结性能好等优点。

    一种微晶镍磷合金化学镀液及其制备方法

    公开(公告)号:CN108950527A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201811008190.6

    申请日:2018-08-31

    CPC classification number: C23C18/36

    Abstract: 本发明涉及一种微晶镍磷合金化学镀液及其制备方法,以去离子水为溶剂,原料包括以下重量份含量的组分:镍源60‑120份、pH值平衡剂90‑150份、还原剂30‑100份、络合剂90‑250份、表面活性剂0.05‑3.0份、稳定剂0.01‑5.0份;其制备方法为:首先将氯化镍、氯化铵、柠檬酸等组份按质量计量倒入带搅拌的溶解反应釜中;加入去离子水,搅拌溶解。再加入次磷酸钠,搅拌溶解,最后加入稳定剂、表面活性剂等添加剂;本发明主要应用于单晶硅和多晶硅芯片的金属化。与现有技术相比,本发明具有镀速快、镀层与芯片的硅基结合力好,镀层细腻且单位面积孔数少的优点。

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