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公开(公告)号:CN116769350B
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202310163643.7
申请日:2023-02-24
Applicant: 上海化工研究院有限公司
IPC: C09D11/102 , C09D11/03 , C09D11/033 , C08G77/445
Abstract: 本发明涉及一种耐高温高反射率漫反射硅系油墨及其制备与应用,该硅系油墨包括以下重量份数的原料组分:纳米杂化改性硅树脂20‑40份,反射填料30‑60份,固化剂10‑20份,耐高温添加剂0.5‑5份,流平剂0.3‑3份,硅烷偶联剂0.5‑5份,溶剂1‑10份,二氧化硅1‑10份。与现有技术相比,本发明所制得的硅系反射油墨不但具有优异的耐高温、耐老化、抗黄变、高反射率以及漫反射的性能,同时具备高附着力和高硬度的特点,可用于LCD和Mini LED背光模组的反射层,以实现高光效、高稳定及超薄显示的功能特点。
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公开(公告)号:CN104559909B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201510046786.5
申请日:2015-01-29
Applicant: 上海化工研究院有限公司
IPC: C09J177/02 , C09J177/06 , C08G69/36 , D06M17/08
Abstract: 本发明涉及一种低熔点共聚酰胺热熔胶及其制备方法,该热熔胶的原料包括以下重量份的组分:己内酰胺50‑250份、尼龙66盐50‑250份、尼龙1010盐50‑250份、尼龙1012盐或尼龙1212盐50‑250份、封端剂5‑15份、抗氧化剂1‑10份。制备方法包括以下步骤:按重量法将各组分倒入带搅拌的高压反应釜中,封釜后用氮气置换3‑5次,然后充氮气至压力为1‑2MPa;加热至240℃,搅拌,调节压力为1.2‑2.8MPa,反应1‑4h后,在30min内减至常压,并且升高温至250‑280℃,继续反应1‑4h,降温至180℃,停止搅拌,静置30分钟,出料至水槽,拉丝,切粒、干燥;粒子用液氮深冷粉碎过80目筛分,得到共聚酰胺热熔胶白色粉末。与现有技术相比,本发明具有低熔点、耐水洗、耐溶剂、粘结性能好等优点。
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公开(公告)号:CN110746274A
公开(公告)日:2020-02-04
申请号:CN201910936131.3
申请日:2019-09-29
Applicant: 上海化工研究院有限公司
IPC: C07C37/11 , C07C39/17 , C07C201/12 , C07C205/38 , C07C213/02 , C07C217/90 , C08G73/10
Abstract: 本发明涉及一种含不对称茚满结构的新型芳香二胺单体及其制备方法,首先由双酚A与强质子酸在室温条件下反应制得中间体,中间体与强羧酸反应制得茚满双酚,经重结晶纯化后与化合物1、无水碳酸钾反应制备得到二硝基化合物,最后通过Pd/C、加H2还原制得含不对称茚满结构的二胺单体。该发明与现有技术相比,采用简单易行的合成路线制备了一种含不对称茚满结构的新型二胺单体,该单体常温下较为稳定,制备得到的二胺单体可用于制备高透明性聚酰亚胺。
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公开(公告)号:CN116769350A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202310163643.7
申请日:2023-02-24
Applicant: 上海化工研究院有限公司
IPC: C09D11/102 , C09D11/03 , C09D11/033 , C08G77/445
Abstract: 本发明涉及一种耐高温高反射率漫反射硅系油墨及其制备与应用,该硅系油墨包括以下重量份数的原料组分:纳米杂化改性硅树脂20‑40份,反射填料30‑60份,固化剂10‑20份,耐高温添加剂0.5‑5份,流平剂0.3‑3份,硅烷偶联剂0.5‑5份,溶剂1‑10份,二氧化硅1‑10份。与现有技术相比,本发明所制得的硅系反射油墨不但具有优异的耐高温、耐老化、抗黄变、高反射率以及漫反射的性能,同时具备高附着力和高硬度的特点,可用于LCD和Mini LED背光模组的反射层,以实现高光效、高稳定及超薄显示的功能特点。
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公开(公告)号:CN108950527A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201811008190.6
申请日:2018-08-31
Applicant: 上海化工研究院有限公司
IPC: C23C18/36
CPC classification number: C23C18/36
Abstract: 本发明涉及一种微晶镍磷合金化学镀液及其制备方法,以去离子水为溶剂,原料包括以下重量份含量的组分:镍源60‑120份、pH值平衡剂90‑150份、还原剂30‑100份、络合剂90‑250份、表面活性剂0.05‑3.0份、稳定剂0.01‑5.0份;其制备方法为:首先将氯化镍、氯化铵、柠檬酸等组份按质量计量倒入带搅拌的溶解反应釜中;加入去离子水,搅拌溶解。再加入次磷酸钠,搅拌溶解,最后加入稳定剂、表面活性剂等添加剂;本发明主要应用于单晶硅和多晶硅芯片的金属化。与现有技术相比,本发明具有镀速快、镀层与芯片的硅基结合力好,镀层细腻且单位面积孔数少的优点。
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