公开(公告)号：CN119069532A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411198419.2

申请日：2024-08-29

Applicant: 上海交通大学 ,  浙江福莱新材料股份有限公司

Inventor： 陈长鑫 ,  王坤婵 ,  胡蓓 ,  杨晓明 ,  张腾 ,  陈乐 ,  杨开宇 ,  石方远

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于液相剥离及阶联离心方法制备的一维BPNR或PNR的场效应晶体管，包括依次设置的目标衬底，石墨烯接触电极，一维BPNR或一维PNR沟道，源、漏电极和BN顶栅电极；所述一维BPNR或一维PNR采用液相剥离及阶联离心方法制备。采用特殊的液相剥离及阶联离心方法制备的一维BPNR或一维PNR具有表面洁净、边缘整齐、具有单晶结构的优点，有利于提高器件性能；此外，石墨烯接触电极的设计有利于减少半导体一维BPNR或一维PNR与金属电极的接触电阻，降低肖特基势垒，氮化硼为顶栅的设计有利于对易发生氧化的BPNR和PNR进行物理保护。上述因素协同作用，使得本发明的场效应晶体管具有优异的性能。