一种包含氧空位的二氧化铈材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119875393A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510387047.6

    申请日:2025-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种包含氧空位的二氧化铈材料及其制备方法和应用,其制备方法包括:S1、在惰性气氛下,将二氧化铈与还原剂混合并煅烧,得到包含氧空位的二氧化铈粗产物;S2、对二氧化铈粗产物进行洗涤,即得所述二氧化铈材料。本发明采用高温煅烧法制备含氧空位的二氧化铈纳米材料,缩小其光催化反应的禁带和陷阱载流子,提升可见光区域吸收,从而提高光催化活性并具有优异的光热转换效率和快速升温特性,实现了二氧化铈作为光热材料的可能性。进一步将所述包含氧空位的二氧化铈材料用作弹性体中的多功能填料,拓展了二氧化铈材料的应用领域,更好地服务于化工、能源、传感及生命健康领域。

    一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114874609A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210214570.5

    申请日:2022-03-07

    Abstract: 本发明涉及一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法,一种高阻尼智能减振片材料,包括以下质量分数组分:聚丁二醇(PTMEG)30‑90,多元醇7.5‑30,异氰酸酯.0.5‑2.5,甲基丙烯酸丁酯(BMA)0‑60,甲基丙烯酸甲酯(MMA)0‑60,引发剂0‑1,匀泡剂20‑40,MAX相陶瓷0.05‑0.5,压电陶瓷10‑20。该制备方法包括以下步骤:将压电陶瓷与Mxenes自组装处理;将聚丁二醇、多元醇、异氰酸酯、BMA、MMA和引发剂混合制成聚氨酯IPN基体;再将聚氨酯IPN基体与压电陶瓷/Mxenes自组装混合物以及匀泡剂,经预聚合后共混发泡、模压、极化得到聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料。与现有技术相比,本发明聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料具有高阻尼的特点,拓展了装配式无砟轨道在具有减振需求的环境中添加减振垫的应用。

    一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114874609B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210214570.5

    申请日:2022-03-07

    Abstract: 本发明涉及一种高阻尼智能减振片材料及其制备方法,一种高阻尼智能减振片材料,包括以下质量分数组分:聚丁二醇(PTMEG)30‑90,多元醇7.5‑30,异氰酸酯.0.5‑2.5,甲基丙烯酸丁酯(BMA)0‑60,甲基丙烯酸甲酯(MMA)0‑60,引发剂0‑1,匀泡剂20‑40,MAX相陶瓷0.05‑0.5,压电陶瓷10‑20。该制备方法包括以下步骤:将压电陶瓷与Mxenes自组装处理;将聚丁二醇、多元醇、异氰酸酯、BMA、MMA和引发剂混合制成聚氨酯IPN基体;再将聚氨酯IPN基体与压电陶瓷/Mxenes自组装混合物以及匀泡剂,经预聚合后共混发泡、模压、极化得到聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料。与现有技术相比,本发明聚氨酯IPN/压电陶瓷/Mxenes高阻尼智能减振片材料具有高阻尼的特点,拓展了装配式无砟轨道在具有减振需求的环境中添加减振垫的应用。

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