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公开(公告)号：CN1176499C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02112059.5
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/772 , B82B1/00
CPC classification number: B82Y10/00
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子晶体管，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区，其厚度为3 nm，宽度为1个电子局域长度ξ，长度为2～5个ξ，源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中，栅电极位于沟道区的一侧，与沟道区之间的间距d＝10nm；在顶栅型结构中，栅电极位于沟道区的上面，与沟道区之间为栅氧化层，源、漏及栅电极之间用场氧化层隔开。本发明单个器件的尺寸可以小至10nm尺度以下，在超高集成度和微功耗等方面具有独特优势，能够在室温和低电压下工作，能和CMOS超大规模集成电路技术兼容。
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公开(公告)号：CN116807571A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310119434.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 上海交通大学医学院附属仁济医院
Abstract: 本发明公开了一种用于超声引导下神经阻滞麻醉的药物注射设备，属于医疗器械技术领域，包括：针筒以及可拆卸安装在所述针筒出液口侧的针头，所述针筒内滑动安装有活塞杆，所述活塞杆包括：滑动安装在所述针筒内的活塞，所述活塞远离针头的侧壁上安装有与所述针筒轴线方向一致的第一齿条和第二齿条，所述第一齿条和第二齿条关于针筒轴线对称设置，所述针筒内转动安装有齿轮，所述齿轮同轴连接有扇形齿轮，所述齿轮啮合连接有能够沿针筒轴线方向滑动的推杆，所述推杆位于所述齿轮靠近第一齿条侧。本发明只需通过往靠近针头的方向推动推杆，即可完成回抽和注射，无需操作者进行体感判断，避免了操作者体感判断失误时影响注射和回抽。
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公开(公告)号：CN1167133C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02112060.9
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区，其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ，有源区与上层写线之间有SiO2绝缘层，源线和数据线位于有源区及SiO2绝缘层的两边，写线、数据线和源线采用Au或Al金属膜。本发明具有微功耗，超高密度的特点，和纳米MOSFET结合，可实现1012bit的超高密度集成纳米存贮器，可以在室温下工作，工作稳定性好，能和CMOS超大规模集成电路兼容。
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公开(公告)号：CN1383213A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02112059.5
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/772 , B82B1/00
CPC classification number: B82Y10/00
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子晶体管,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区,其厚度为3nm,宽度为1个电子局域长度ξ,长度为2～5个ξ,源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中,栅电极位于沟道区的一侧,与沟道区之间的气隙间距为d;在顶栅型结构中,栅电极位于沟道区的上面,与沟道区之间为栅氧化层,源、漏及栅电极之间用场氧化层隔开。本发明单个器件的尺寸可以小至10nm尺度以下,在超高集成度和微功耗等方面具有独特优势,能够在室温和低电压下工作,能和CMOS超大规模集成电路技术兼容。
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公开(公告)号：CN118135855A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410076845.2
申请日：2024-01-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请属于人工智能技术领域，提供一种基于大模型的辅助学习外语的系统、方法及用户终端，所述系统包括用户终端和部署有语言大模型的云端服务器；所述用户终端获取用户的待处理信息，对所述待处理信息解析，得到目标文本信息，且响应用户针对所述目标文本信息的操作信息，将所述操作信息和所述目标文本信息发送至所述云端服务器；所述云端服务器将所述操作信息和所述目标文本信息作为语言大模型的输入信息，以使语言大模型基于输入信息生成用于辅助用户学习外语目标信息。本申请能够根据用户自身情况和用户的需求，定制相应的外语学习内容，提高了学习外语用户的使用体验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119139474A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411449599.7
申请日：2024-10-16
Applicant: 上海交通大学医学院附属瑞金医院
IPC: A61K45/00 , A61K31/245 , A61P27/06 , A61K33/00
Abstract: 本发明涉及生物医药技术领域，尤其涉及铁死亡抑制剂在制备防治高眼压药物中的应用。本发明研究发现，铁死亡抑制剂可有效减缓SiO引起的小梁网细胞的纤维化，为治疗SiO填充引起的高眼压提供了证据和思路。
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公开(公告)号：CN117618455A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311724807.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 上海交通大学医学院附属瑞金医院
IPC: A61K31/7105 , A61P17/02
Abstract: 本发明涉及miR‑146a作为生物标志物在制备提高青光眼手术治疗效果药物中的应用。本发明通过慢病毒介导注射miR‑146a可有效减少青光眼滤过手术GFS后的瘢痕形成并保持滲出液功能，miR‑146a显示出作为生物标志物在制备预防术后瘢痕形成效果并提高GFS成功率的治疗药物前景。
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公开(公告)号：CN116617224A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310485076.7
申请日：2023-05-04
Applicant: 上海交通大学医学院附属瑞金医院
IPC: A61K31/4439 , A61P25/00 , A61P27/06
Abstract: 本发明涉及OPN和p38MAPK信号通路靶向调控剂在制备神经退行性疾病药物中的应用。本发明发现SB203580可以恢复被小胶质细胞源性OPN下调的Müller细胞自噬活性，表明p38MAPK信号通路在一定程度上参与了小胶质细胞源性的OPN对视网膜Müller细胞自噬的调节作用。OPN和p38MAPK信号通路可能共同构成小胶质细胞‑Müller细胞信号传导的重要介质，为神经退行性疾病药物特别是青光眼药物奠定了理论基础。
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公开(公告)号：CN1383209A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02112060.9
申请日：2002-06-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区,其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ,有源区与上层写线之间有SiO2绝缘层,源线和数据线位于有源区及SiO2绝缘层的两边,写线、数据线和源线采用Au或Al金属膜。本发明具有微功耗,超高密度的特点,和纳米MOSFET结合,可实现1012bit的超高密度集成纳米存贮器,可以在室温下工作,工作稳定性好,能和CMOS超大规模集成电路兼容。
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公开(公告)号：CN222604705U
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202421048810.X
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海交通大学医学院附属新华医院
Abstract: 本实用新型涉及手动清洗工具领域，尤其涉及一种眼科超声乳化手动清洗工具。包括清洗工具本体，所述清洗工具本体的上表面固定连通有连接管，所述清洗工具的圆弧面设有调节装置，所述调节装置包括固定筒，所述固定筒与清洗工具本体固定连接，所述固定筒的圆弧面一端固定连接有两个调节块，所述调节块的内壁固定连接有固定杆，所述固定杆的圆弧面固定连接有连接块，所述连接块的表面安装有衔接块。本实用新型提供的一种眼科超声乳化手动清洗工具具有医生通过清洗工具对眼科超声乳化手术工具进行清洗时，可通过调节装置来增加医生手部与清洗工具之间的接触效果，从而能提高拿取清洗工具进行清洗的稳定性的优点。
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