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公开(公告)号：CN102557116A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110397191.6
申请日：2011-12-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，该方法铟源、硫源等为前驱物，以具有特定形貌——氧化亚铜为自牺牲模板和铜源，通过选择合适的溶剂和表面活性剂、控制一定的反应温度和反应时间即可制备出CuInS2中空纳米材料。与现有技术相比，本发明操作步骤简单，反应迅速，成本低廉，能满足工业化要求，制备的CuInS2中空纳米材料可在光催化及太阳能光伏电池上有很好的应用。
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公开(公告)号：CN102557116B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110397191.6
申请日：2011-12-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，该方法铟源、硫源等为前驱物，以具有特定形貌——氧化亚铜为自牺牲模板和铜源，通过选择合适的溶剂和表面活性剂、控制一定的反应温度和反应时间即可制备出CuInS2中空纳米材料。与现有技术相比，本发明操作步骤简单，反应迅速，成本低廉，能满足工业化要求，制备的CuInS2中空纳米材料可在光催化及太阳能光伏电池上有很好的应用。
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