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发明公开
光机对准支架拓扑变密度晶格设计方法审中-实审

公开(公告)号：CN119180115A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411232072.9

申请日：2024-09-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 冯凯 , 李铸国 , 魏旭东 , 赵仁洁

IPC: G06F30/18 , G06F30/23 , G06T17/20

Abstract: 本发明公开了一种光机对准支架拓扑变密度晶格设计方法。该设计方法包括：构建光机对准支架的初始三维模型，并对模型进行最大化频率的拓扑优化，得到光机对准支架的拓扑优化后三维模型；针对光机对准支架的拓扑优化后三维模型，进行最大化频率晶格点阵结构设计，得出最大化频率晶格点阵结构；根据光机对准支架的应变能密度，为光机对准支架的拓扑优化后三维模型填充最大化频率晶格点阵结构。本发明的设计方法，其通过拓扑优化和晶格点阵填充设计，显著提升了光机对准支架的固有频率，使其达到2000Hz以上。高固有频率的光机对准支架有助于减少振动对光刻机精度的影响，从而提高芯片制造的精度。

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