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公开(公告)号：CN119420338A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411529146.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 上海交通大学
IPC: H03K17/687 , H03K17/081 , H03K17/041 , H02M1/088
Abstract: 一种单驱动栅极级联型高压MOSFET模块电路，包括：MOSFET、静态均压电阻、高压电容器、高压雪崩二极管、瞬态电压抑制(TVS)二极管、驱动电阻和压敏电阻(MOV)，本发明结构驱动简单且同时具有开关特性良好，动态、静态均压效果优越、模块损耗小等优良特性。
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