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公开(公告)号：CN118750726A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410775662.X
申请日：2024-06-17
Abstract: 本发明涉及一种镜像触觉反馈康复系统，用于脑卒中患者，包括：触觉传感器，用于穿戴在健侧肢体上，从多个位置采集多模态触觉信息，包括轻触、压觉、振动觉、滑觉、软硬度、纹理等信息；触觉反馈器，用于穿戴在患侧肢体上，对患侧肢体进行电刺激和机械振动刺激，以复现健侧肢体的多模态触觉感觉；嵌入式系统，用于对触觉传感器采集的多模态触觉信息进行综合分析，并对触觉反馈器的刺激参数进行编码，输出与多模态触觉信息对应的镜像触觉反馈指令。与现有技术相比，本发明首先引入镜像触觉反馈，并与传统镜像视觉反馈相结合，可极大提升患者具身化体验，加速大脑感觉运动网络的重塑，提高康复效果。
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公开(公告)号：CN113812936A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111199367.7
申请日：2021-10-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: A61B5/0225 , A61B5/021
Abstract: 本发明提供了一种动态血压监测系统和无创连续血压测量装置的校准方法。其中，动态血压监测系统包括无创连续血压测量模块，用于采集用户的脉搏波信号，并将脉搏波信号发送至服务器；袖带式血压测量模块用于从服务器接收校准指令并测量用户的当前血压以及将当前血压发送至服务器；生理信号采集模块用于采集用户的与情绪和运动相关的生理信号，并将生理信号发送至服务器；服务器用于根据接收的脉搏波信号计算用户的无创血压，以及根据无创血压和接收的生理信号确定情绪运动混合指标，并根据情绪运动混合指标确定校准时刻，向袖带式血压测量模块发送校准指令，并在校准时刻根据当前血压对无创连续血压测量模块进行校准。
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公开(公告)号：CN102303845B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201110234994.X
申请日：2011-08-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种带微流体通道的给药式三维碳微电极的制备方法。本发明的方法采用硅片作为衬底材料，以BCB为电极表面材料，充分利用SU-8胶的曝光厚度深的特点，结合C-MEMS技术，制备了带微流体通道的给药式碳微电极。本发明的制备方法减少了溅射贵金属的工艺步骤，通过高温使光刻胶碳化并获得良好的电学特性，且碳电极不易被腐蚀。本发明的方法直接采用SU-8胶使电极变厚，增强电极与组织的紧密接触，比电镀成本低。本发明的方法制备的碳微电极内的微流体通道可以作为给药的入口，输入药液以减少机体的排异反应、增强电极的效果。本发明的方法采用具有低介电性的BCB作为表层材料，防水性高、生物相容性好，适合体内的长期植入。
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公开(公告)号：CN102303845A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110234994.X
申请日：2011-08-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种带微流体通道的给药式三维碳微电极的制备方法。本发明的方法采用硅片作为衬底材料，以BCB为电极表面材料，充分利用SU-8胶的曝光厚度深的特点，结合C-MEMS技术，制备了带微流体通道的给药式碳微电极。本发明的制备方法减少了溅射贵金属的工艺步骤，通过高温使光刻胶碳化并获得良好的电学特性，且碳电极不易被腐蚀。本发明的方法直接采用SU-8胶使电极变厚，增强电极与组织的紧密接触，比电镀成本低。本发明的方法制备的碳微电极内的微流体通道可以作为给药的入口，输入药液以减少机体的排异反应、增强电极的效果。本发明的方法采用具有低介电性的BCB作为表层材料，防水性高、生物相容性好，适合体内的长期植入。
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公开(公告)号：CN101411920B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810203445.4
申请日：2008-11-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种用于人工神经修复技术领域的体外多通道微电流刺激器，包括：脉冲信号发生器、电压电流转换电路、多通道连接器，其中：脉冲信号发生器的输出端与若干个电压电流转换电路的输入端相连，若干个电压电流转换电路的输出端均与多通道连接器相连，脉冲信号发生器产生单相脉冲方波电压信号，并输出给电压电流转换电路，电压电流转换电路将单相脉冲方波电压信号转换为单相脉冲电流信号；电压电流转换电路将单相脉冲方波电压信号转换为单相脉冲电流信号，脉冲的频率、脉宽通过脉冲信号发生器调节，而脉冲幅度通过可变电阻Rref调节。本发明输出的频率、脉宽、幅度调节范围较大，装置易于制作、成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111657912B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202010636420.4
申请日：2020-07-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于对受试者进行机械压力刺激的系统，包括压力刺激器和控制器；所述压力刺激器的至少一部分位于磁屏蔽室内部，以用于向所述磁屏蔽室内部的受试者提供机械压力刺激，其中所述磁屏蔽室内部具有脑磁图设备，所述脑磁图设备用于从所述受试者采集脑磁信号；所述控制器与所述脑磁图设备通信，以用于接收所述脑磁图设备采集到的脑磁信号，并且用于处理并分析所述脑磁信号。本发明通过使用脑磁信号来代替受试者的口述，可以减轻受试者的负担，并且提高刺激参数选取的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN111481830A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010333543.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: A61N1/36
Abstract: 本发明涉及一种闭环神经电刺激系统，包括植入式神经电极和植入式控制器，所述植入式神经电极与所述植入式控制器电连接，所述植入式神经电极配置为接触选定神经的神经纤维，并检测所述选定神经的神经电信号，所述植入式控制器配置为根据所述神经电信号设置电刺激参数，使所述植入式神经电极根据所述电刺激参数对所述选定神经施加电刺激。本发明的闭环神经电刺激系统根据植入对象自身的生理特征，实时地动态调整电刺激参数，实现闭环的电刺激策略，使电刺激参数得到优化，从而达到最优的刺激效果。
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公开(公告)号：CN101510762B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910047459.6
申请日：2009-03-12
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 隋晓红
Abstract: 本发明涉及一种集成电路技术领域的低电源电压全差动轨对轨放大电路，包括正常阈值的NMOS管MN1、MN2、MIN、MAN1、MAN2、MLN1-MLN7，正常阈值的PMOS管MP1、MP2、MIP、MAP1、MAP2、MLP1-MLP7，除了MLP2、MLP3，其他NMOS管和PMOS管的衬底端分别接低电源VSS和高电源VDD。该电路采用一对PMOS管和一对NMOS管进行差动输入，同时采用一对附加PMOS管和一对附加NMOS管进行电流补偿，这样全差动轨对轨放大电路具有恒定的电流；采用电压平移电路，消除低电源电压下的输入共模范围的死区，实现低电源电压下的轨对轨输入。
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公开(公告)号：CN101284159B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810038196.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及到一种视神经刺激用金属微丝电极阵列制作方法，步骤为：步骤一，剥离金属丝两端部分绝缘层；步骤二，利用电化学腐蚀回路腐蚀暴露的金属丝一端，金属丝脱离液面后，断开开关，即被取出。步骤三，选取多根腐蚀完毕的金属丝，插入到打孔的塑料基板上，露出部分金属丝，并采用环氧树脂AB胶固定，并采用漆包线连接金属丝和外电路连接器。步骤四，将此金属微丝电极阵列放置在塑料模具内，并浇注医用硅胶粘合剂，固化后，取出微电极，便得到适合于视神经刺激的铂铱合金丝微电极阵列。本发明能够使电极具有良好的生物相容性，制得的电极适合刺入到生物组织内部和体内长期植入。
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公开(公告)号：CN101168435A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710171235.7
申请日：2007-11-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种微机电技术领域的三维神经微电极的制作方法，具体如下：以硅片作为衬底，在硅片的正面生长底层SiO2；在底层SiO2上形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；底层SiO2正面生长顶层SiO2，并采用缓冲的HF酸溶液刻蚀顶层SiO2，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点；在接触圆点的硅平面结构正面旋涂SU－8胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，用光刻胶填充压焊点；在圆柱形孔中电镀生长金属，形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露压焊点；进行清洗得到三维多通道微电极阵列。本发明降低制作成本，提高微电极的高度可控性及各通道一致性。
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