公开(公告)号：CN111244291A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010069524.1

申请日：2020-01-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵一新 ,  钱旭芳 ,  陈皓然 ,  王勇 ,  张太阳 ,  王兴涛 ,  刘晓敏

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种高性能高稳定的FACs钙钛矿薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)将甲脒基钙钛矿前驱体溶液涂覆于基板上制备钙钛矿薄膜并进行退火；(2)对甲脒基钙钛矿薄膜进行甲酸铯溶液处理；(3)将步骤(2)处理后得到的钙钛矿薄膜再进行退火，即可。通过该方法处理得到的FACs钙钛矿薄膜稳定性大幅度改善，同时表面缺陷得到严格控制，基于该薄膜制备的器件表现出了优异的光伏性能。通过上述方法制备高性能FACs钙钛矿薄膜工艺简便，成本较低，适合工厂大规模生产。

公开(公告)号：CN111129319A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911357679.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵一新 ,  钱旭芳 ,  王兴涛 ,  刘晓敏 ,  王勇 ,  张太阳 ,  陈皓然 ,  史杰琳 ,  武敏

IPC: H01L51/48 ,  C07C257/12

Abstract: 本发明公开了一种CsnFA1-nPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，为一种相分离抑制的高质量CsnFA1-nPbI3(0

公开(公告)号：CN111129319B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201911357679.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵一新 ,  钱旭芳 ,  王兴涛 ,  刘晓敏 ,  王勇 ,  张太阳 ,  陈皓然 ,  史杰琳 ,  武敏

IPC: H10K71/12 ,  C07C257/12 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明公开了一种CsnFA1‑nPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，为一种相分离抑制的高质量CsnFA1‑nPbI3(0

公开(公告)号：CN111244291B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202010069524.1

申请日：2020-01-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵一新 ,  钱旭芳 ,  陈皓然 ,  王勇 ,  张太阳 ,  王兴涛 ,  刘晓敏

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/10 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了一种高性能高稳定的FACs钙钛矿薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)将甲脒基钙钛矿前驱体溶液涂覆于基板上制备钙钛矿薄膜并进行退火；(2)对甲脒基钙钛矿薄膜进行甲酸铯溶液处理；(3)将步骤(2)处理后得到的钙钛矿薄膜再进行退火，即可。通过该方法处理得到的FACs钙钛矿薄膜稳定性大幅度改善，同时表面缺陷得到严格控制，基于该薄膜制备的器件表现出了优异的光伏性能。通过上述方法制备高性能FACs钙钛矿薄膜工艺简便，成本较低，适合工厂大规模生产。