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公开(公告)号：CN106543606A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610972805.1
申请日：2016-11-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高储能密度聚合物复合电介质及其制备方法；所述复合电介质包括质量分数为55～97.5％的含氟铁电聚合物基体和45～2.5％的多巴胺改性的高介电常数纳米填料。所述制备方法为通过溶液共混、流延成膜和热压成型的工艺制备。本发明将高介电常数纳米颗粒先采用具有长链结构的多巴胺进行接枝改性，所述具有长链结构的多巴胺既可以改善高介电常数纳米颗粒的分散性，又可以与含氟铁电聚合物基体良好相容，增强聚合物基体与高介电常数纳米颗粒填料之间的界面结合力。本发明所制备的高储能密度聚合物复合电介质具有质量轻、柔韧性好、储能密度高等特点，适用于制备高储能密度电容、嵌入式电容器、场效应晶体管等先进电子电器设备。
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公开(公告)号：CN106543606B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201610972805.1
申请日：2016-11-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高储能密度聚合物复合电介质及其制备方法；所述复合电介质包括质量分数为55～97.5％的含氟铁电聚合物基体和45～2.5％的多巴胺改性的高介电常数纳米填料。所述制备方法为通过溶液共混、流延成膜和热压成型的工艺制备。本发明将高介电常数纳米颗粒先采用具有长链结构的多巴胺进行接枝改性，所述具有长链结构的多巴胺既可以改善高介电常数纳米颗粒的分散性，又可以与含氟铁电聚合物基体良好相容，增强聚合物基体与高介电常数纳米颗粒填料之间的界面结合力。本发明所制备的高储能密度聚合物复合电介质具有质量轻、柔韧性好、储能密度高等特点，适用于制备高储能密度电容、嵌入式电容器、场效应晶体管等先进电子电器设备。
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