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公开(公告)号：CN101157520A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710046152.5
申请日：2007-09-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法，通过将光刻技术及反应性相分离技术相结合，制备同时具有微米及纳米结构的图形，用于集成线路板、信息贮存装置、生物芯片和微机电系统中。首先用浓硫酸和丙酮处理玻璃基片或硅基片表面，再将交联剂、线性共聚物、光引发剂配制成一定浓度的溶液在基片表面旋涂成膜，将制备出的膜在模版下进行光刻、显影，制得微米级的图形，再将微米级图形进行淬火，从而在微米级的图形表面生成纳米级的图形，得到同时具有微米级和纳米级结构的复合图形。本发明方法简单易行，可同时制备具有微米、纳米级的图形，可以节约大量的设备和仪器。
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公开(公告)号：CN101157520B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710046152.5
申请日：2007-09-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法，通过将光刻技术及反应性相分离技术相结合，制备同时具有微米及纳米结构的图形，用于集成线路板、信息贮存装置、生物芯片和微机电系统中。首先用浓硫酸和丙酮处理玻璃基片或硅基片表面，再将交联剂、线性共聚物、光引发剂配制成一定浓度的溶液在基片表面旋涂成膜，将制备出的膜在模版下进行光刻、显影，制得微米级的图形，再将微米级图形进行淬火，从而在微米级的图形表面生成纳米级的图形，得到同时具有微米级和纳米级结构的复合图形。本发明方法简单易行，可同时制备具有微米、纳米级的图形，可以节约大量的设备和仪器。
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