公开(公告)号：CN113745010B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202110918398.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵斌元 ,  王礼建 ,  宁月生 ,  赖奕坚

IPC: H01G11/36 ,  H01G11/32 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86 ,  C01G39/06 ,  C01B32/184 ,  C01B32/15 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种三元复合材料及其制备方法和用途。一种三元复合材料，包括中空碳纳米材料、MoS2纳米片和石墨烯纳米片，所述中空碳纳米材料呈凹陷碗状结构，所述碗状结构中碗壁的外表面负载有MoS2纳米片并形成二元复合材料，所述石墨烯纳米片包覆所述二元复合材料，得到所述三元复合材料；所述碗状结构的碗壁呈分级多孔结构，所述分级多孔结构包括大孔、微孔和介孔，所述大孔的孔径为＞50nm，所述微孔的孔径为＜2nm，所述介孔的孔径为2～50nm。本申请通过水热法将石墨烯纳米片包覆在二元复合材料CNB@MoS2的外表面，以形成三明治状多级结构的三元复合材料CNB@MoS2/Graphene，有利于充放电过程中电子的传输。

公开(公告)号：CN113697861A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110919291.4

申请日：2021-08-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵斌元 ,  王礼建 ,  宁月生 ,  赖奕坚

IPC: C01G49/08 ,  C01B32/15 ,  B01J20/28 ,  B01J20/20 ,  B01J20/08 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86 ,  A61K47/04 ,  A61K47/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y5/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料技术和能源科学领域，特别是涉及一种复合材料及其制备方法和用途。一种复合材料，包括中空碳纳米材料和Fe3O4纳米颗粒，所述中空碳纳米材料呈凹陷碗状结构，所述碗状结构中凹陷部负载有Fe3O4纳米颗粒；所述碗状结构的碗壁呈分级多孔结构，所述分级多孔结构包括大孔、微孔和介孔，所述大孔的孔径为＞50nm，所述微孔的孔径为＜2nm，所述介孔的孔径为2nm～50nm。本申请通过初湿浸渍将颗粒尺寸小于50nm的Fe3O4纳米颗粒均匀分散在中空碳纳米材料的碗状结构的凹陷部，且通过控制初湿浸渍的次数，可控的在凹陷部能合成不同含量的Fe3O4纳米颗粒。

公开(公告)号：CN111377431A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010197044.3

申请日：2020-03-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵斌元 ,  王礼建 ,  宁月生 ,  赖奕坚

IPC: C01B32/15 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种形貌可控调节的氮载炭纳米囊及其制备方法与应用。所述方法包括将SiO2纳米球溶于溶剂中，添加间苯二酚，乙二胺和甲醛，加热，滴加正硅酸四乙酯，碳化，保温等步骤。本方法制备的氮载中空炭纳米囊尺寸均匀、形貌可控、工艺简单、比表面积高以及高氮载量，适用于多方面应用领域，例如可以用于制备超级电容器。

公开(公告)号：CN113745010A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110918398.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵斌元 ,  王礼建 ,  宁月生 ,  赖奕坚

IPC: H01G11/36 ,  H01G11/32 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86 ,  C01G39/06 ,  C01B32/184 ,  C01B32/15 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种三元复合材料及其制备方法和用途。一种三元复合材料，包括中空碳纳米材料、MoS2纳米片和石墨烯纳米片，所述中空碳纳米材料呈凹陷碗状结构，所述碗状结构中碗壁的外表面负载有MoS2纳米片并形成二元复合材料，所述石墨烯纳米片包覆所述二元复合材料，得到所述三元复合材料；所述碗状结构的碗壁呈分级多孔结构，所述分级多孔结构包括大孔、微孔和介孔，所述大孔的孔径为＞50nm，所述微孔的孔径为＜2nm，所述介孔的孔径为2～50nm。本申请通过水热法将石墨烯纳米片包覆在二元复合材料CNB@MoS2的外表面，以形成三明治状多级结构的三元复合材料CNB@MoS2/Graphene，有利于充放电过程中电子的传输。

公开(公告)号：CN111498831A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010487695.6

申请日：2020-06-02

Applicant: 上海交通大学 ,  马鞍山经济技术开发区建设投资有限公司

Inventor： 赵斌元 ,  王礼建 ,  宁月生 ,  赖奕坚 ,  王垒 ,  周洁

IPC: C01B32/15 ,  C01G39/06 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  A61K47/69 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86 ,  B01J20/04 ,  B01J20/30 ,  B01J20/28

Abstract: 本发明公开了一种在碳纳米囊中原位空间限制生长二维MoS2纳米片。其制备方法包括将SiO2作为模板获得不同形貌的碳纳米囊(HCNC)，然后通过真空初湿浸渍法将硫代钼酸铵溶液浸渍到碳纳米囊中，通过煅烧制得MoS2@HCNC。本方法制备的MoS2@HCNC尺寸均匀、形貌稳定、比表面积高、高氮和高氧载量以及较高的电导率，HCNC内部的MoS2纳米片尺寸较小、层数较少。