公开(公告)号：CN119072202A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202311147195.8

申请日：2023-09-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵一新 ,  缪炎峰 ,  王海飞

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50 ,  H10K30/80 ,  H10K50/11 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明提供了一种提高钙钛矿光电性能的表面处理方法，所述方法包括如下步骤：S1、将2‑(1‑环己烯基)乙基铵盐溶液涂覆于钙钛矿薄膜表面，进行表面处理；S2、去除钙钛矿薄膜表面溶剂后，进行退火。本发明通过利用2‑(1‑环己烯基)乙基铵盐的溶液对薄膜表面进行处理，将表面多缺陷的薄层转化为具有更稳定的低维覆盖层，进而实现薄膜表面缺陷的修复和钝化，使得钙钛矿的稳定性及光电性能得到改善。该方法处理后得到的钙钛矿薄膜具有低的表面缺陷密度，且稳定性好，处理后的薄膜具有明显增强的光电转换性能。