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发明公开
氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法审中-实审

公开(公告)号：CN116403656A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310179527.4

申请日：2023-02-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王国莲 , 何辉 , 刘晓晶 , 刘延 , 张滕飞 , 柴翔 , 熊进标

IPC: G16C20/30 , G16C20/10

Abstract: 本发明提供了氧化腐蚀产物生长和局部腐蚀预测方法，采用腐蚀产物在燃料棒包壳上的沉积率与冷却剂对CRUD的剥蚀率之间的动态平衡，计算得到CRUD的沉积层目标厚度，实现了CRUD生长数值的预测；通过计算CRUD的传热参数，以得到CRUD和燃料棒包壳之间的接触温度，并根据接触温度计算得到氧化层厚度，从而实现了对CRUD导致的局部腐蚀即CILC的数值预测，揭示了氧化腐蚀产物对堆芯安全的影响规律，进一步对预测燃料棒的完整性、防止放射性物质外泄和确保反应堆安全均具有重要价值。

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