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公开(公告)号：CN101144770B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710044482.0
申请日：2007-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种测量技术领域的测量硅基体与膜基结合强度的方法。本发明方法为：在硅基底背面使用刻蚀法制作带窗口的图案，在窗口中预留部分基体作为加载的平台，基底正面的薄膜暴露在背面的窗口中，当预留下的基体受压穿透基体并带动薄膜脱离基体时，记录发生的最大法向位移，由已有的公式得出自由能释放率，以此表征膜基体系的结合强度。本发明能克服已有检测设备定性测量或样品尺寸要求高的不足，可以依靠现有设备及成熟的制样工艺，利用接触式背面穿透法较快速地定量检测复杂形状下膜基结合强度的方法。
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公开(公告)号：CN101144770A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710044482.0
申请日：2007-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种测量技术领域的测量硅基体与膜基结合强度的方法。本发明方法为：在硅基底背面使用刻蚀法制作带窗口的图案，在窗口中预留部分基体作为加载的平台，基底正面的薄膜暴露在背面的窗口中，当预留下的基体受压穿透基体并带动薄膜脱离基体时，记录发生的最大法向位移，由已有的公式得出自由能释放率，以此表征膜基体系的结合强度。本发明能克服已有检测设备定性测量或样品尺寸要求高的不足，可以依靠现有设备及成熟的制样工艺，利用接触式背面穿透法较快速地定量检测复杂形状下膜基结合强度的方法。
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公开(公告)号：CN101122561B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200710044480.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及的是测量技术领域的膜基结合性能的背面穿透式的测量方法。本发明采用顶杆穿透待测部件基底体系，载荷加载于顶杆下端，推动顶杆使薄膜发生挠曲变形，以静载荷形式加载时，薄膜的挠度和载荷大小由相应传感器分别获得，通过板壳理论公式计算出静载时待测部件膜基结合力；或以动载荷形式加载时，通过测量膜凸起面积半径和记录循环次数，建立裂纹扩展长度与循环次数的关系，用来评估膜的疲劳性能。本发明解决了现有技术中待测部件预制复杂以及基底系统受硅材料局限的技术问题。本发明能定量测量膜基结合性能，精确地测定膜基结合力，获取膜的疲劳性能参数。
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公开(公告)号：CN101122561A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710044480.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及的是测量技术领域的膜基结合性能的背面穿透式的测量方法。本发明采用顶杆穿透待测部件基底体系，载荷加载于顶杆下端，推动顶杆使薄膜发生挠曲变形，以静载荷形式加载时，薄膜的挠度和载荷大小由相应传感器分别获得，通过板壳理论公式计算出静载时待测部件膜基结合力；或以动载荷形式加载时，通过测量膜凸起面积半径和记录循环次数，建立裂纹扩展长度与循环次数的关系，用来评估膜的疲劳性能。本发明解决了现有技术中待测部件预制复杂以及基底系统受硅材料局限的技术问题。本发明能定量测量膜基结合性能，精确地测定膜基结合力，获取膜的疲劳性能参数。
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