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公开(公告)号：CN112179130A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011062216.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 上海宝钢磁业有限公司 , 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温均匀性的钟罩炉，该钟罩炉为方形或圆形钟罩式结构，壁体由外而内固定设为炉体外壳和炉体耐火内层，炉侧壁设有若干条含流量计、三通接头和进气管的独立进气通路，进气管经炉侧壁上的通气孔伸入炉腔内，伸入炉腔部分管壁周向均匀分布若干出气孔；硅钼棒均匀排布垂吊于炉腔边缘，长度略小于炉腔高度；炉门为自下而上固定设有炉门耐火内层和炉门外壳的升降式结构，炉门耐火内层为多层对称蛋糕式结构，单层面积自下而上依次减小，底层横截面大于炉腔横截面。本发明的钟罩炉炉门结构设计可改进硅钼棒弯曲底部加热温度低的问题，多分路和不同流量进气使炉内气体循环流动，有效工作区的温度差达到±1℃，提高炉内高温均匀性。
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公开(公告)号：CN103663342B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310573699.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/403
Abstract: 本发明公开了一种共布线微电极阵列芯片及其制备方法；该微电极阵列芯片的微电极阵列结构层包括以光栅阵列结构排布的若干微电极以及叠加在所述光栅阵列上的呈点状阵列结构排布的若干微电极。本发明的芯片利用共布线原理和光刻套刻技术，采用具有光栅阵列结构的第一掩模板、具有点状阵列结构的第二掩模板，通过金属沉积工艺、离子束刻蚀技术、湿法刻蚀工艺等制备而得。本发明实现了将多种不同微电极阵列集于一芯片上，充分利用了生物芯片的效率，降低了成本，能够满足不同细胞、不同用途的生物检测和记录；由于电极的引线布局与商用微电极芯片的完全一致，还使得其在检测时具有良好的兼容性和通用性，是一种可标准化和批量化生产的电极阵列芯片。
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公开(公告)号：CN101587296A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910053319.X
申请日：2009-06-18
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 李海华
Abstract: 一种半导体技术领域的表面等离子体纳米光刻法，包括采用化学腐蚀工艺制备纳米尺度石英掩模板；在基板上沉积一层金属薄膜作为掩模板；在硅片上甩涂一层光刻胶；通过平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基底进行接触式曝光，实现图形的加工；利用沉积银膜的石英模板作为掩模板，用光刻机进行接触式曝光；进行显影。本发明利用金属表面等离子体特性大大提高了光刻技术的分辨率，不仅继承了现有半导体微加工的主体技术路线，更容易纳入现有半导体微加工的主体技术路线，具有制作简便、大面积、快速、准确的特点。
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公开(公告)号：CN111221377B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010063459.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明提供一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，包括：一驱动控制模块、一第一PMOS管、一第一NMOS管、一电感、一电压输出端、一第一电阻、一第一电容、一第二电阻、一第一比较器、一第二比较器、一逻辑控制模块、一RS触发器模块和一定时器模块。本发明的一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，采用比较器产生控制信号并用简单的逻辑控制实现瞬态增强的功能，功耗小，所占面积小，并且结构简单易于实现。
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公开(公告)号：CN103943716B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310017974.6
申请日：2013-01-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种微纳结构太阳能电池及其背面陷光结构的制备方法，该方法先提供一玻璃基底；然后利用刻蚀工艺刻蚀所述玻璃基底，使得玻璃基底表面为柱状阵列结构；最后采用离子束刻蚀技术，旋转一预定角度，获到表面为无棱角周期性微纳结构的玻璃基底，该无棱角周期性微纳结构即为陷光结构。该发明提供的陷光结构位于太阳能电池的背面，通过该结构的反射、折射和散射，增加了光在太阳能电池中的光程，此外，利用反应离子刻蚀技术和离子束刻蚀技术获得表面无棱角周期性的微纳陷光结构后，可以避免后续沉积电极和硅基薄膜时出现沉积不均匀、导电层断路等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943716A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310017974.6
申请日：2013-01-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02366
Abstract: 本发明提供一种微纳结构太阳能电池及其背面陷光结构的制备方法，该方法先提供一玻璃基底；然后利用刻蚀工艺刻蚀所述玻璃基底，使得玻璃基底表面为柱状阵列结构；最后采用离子束刻蚀技术，旋转一预定角度，获到表面为无棱角周期性微纳结构的玻璃基底，该无棱角周期性微纳结构即为陷光结构。该发明提供的陷光结构位于太阳能电池的背面，通过该结构的反射、折射和散射，增加了光在太阳能电池中的光程，此外，利用反应离子刻蚀技术和离子束刻蚀技术获得表面无棱角周期性的微纳陷光结构后，可以避免后续沉积电极和硅基薄膜时出现沉积不均匀、导电层断路等问题。
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公开(公告)号：CN111221377A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010063459.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明提供一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，包括：一驱动控制模块、一第一PMOS管、一第一NMOS管、一电感、一电压输出端、一第一电阻、一第一电容、一第二电阻、一第一比较器、一第二比较器、一逻辑控制模块、一RS触发器模块和一定时器模块。本发明的一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，采用比较器产生控制信号并用简单的逻辑控制实现瞬态增强的功能，功耗小，所占面积小，并且结构简单易于实现。
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公开(公告)号：CN101846880A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010171072.4
申请日：2010-05-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种半导体技术领域的激发表面等离子体的纳米光刻方法，首先利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板，然后在石英模板的结构上沉积一层金属膜作为掩模板，最后在基片上甩涂一层光刻胶，并采用平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基片曝光及显影。本发明利用金属膜在特定波长的光激发下可以产生表面等离子体波这一特性，将其作为曝光掩模板，采用光刻技术，得到光栅线宽为几十纳米的光刻结构，大大提高了光刻技术的分辨率。
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公开(公告)号：CN112179130B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011062216.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 上海宝钢磁业有限公司 , 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温均匀性的钟罩炉，该钟罩炉为方形或圆形钟罩式结构，壁体由外而内固定设为炉体外壳和炉体耐火内层，炉侧壁设有若干条含流量计、三通接头和进气管的独立进气通路，进气管经炉侧壁上的通气孔伸入炉腔内，伸入炉腔部分管壁周向均匀分布若干出气孔；硅钼棒均匀排布垂吊于炉腔边缘，长度略小于炉腔高度；炉门为自下而上固定设有炉门耐火内层和炉门外壳的升降式结构，炉门耐火内层为多层对称蛋糕式结构，单层面积自下而上依次减小，底层横截面大于炉腔横截面。本发明的钟罩炉炉门结构设计可改进硅钼棒弯曲底部加热温度低的问题，多分路和不同流量进气使炉内气体循环流动，有效工作区的温度差达到±1℃，提高炉内高温均匀性。
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公开(公告)号：CN103663342A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310573699.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种共布线微电极阵列芯片及其制备方法；该微电极阵列芯片的微电极阵列结构层包括以光栅阵列结构排布的若干微电极以及叠加在所述光栅阵列上的呈点状阵列结构排布的若干微电极。本发明的芯片利用共布线原理和光刻套刻技术，采用具有光栅阵列结构的第一掩模板、具有点状阵列结构的第二掩模板，通过金属沉积工艺、离子束刻蚀技术、湿法刻蚀工艺等制备而得。本发明实现了将多种不同微电极阵列集于一芯片上，充分利用了生物芯片的效率，降低了成本，能够满足不同细胞、不同用途的生物检测和记录；由于电极的引线布局与商用微电极芯片的完全一致，还使得其在检测时具有良好的兼容性和通用性，是一种可标准化和批量化生产的电极阵列芯片。
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