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公开(公告)号:CN117991057A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410100024.8
申请日:2024-01-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种基于外界环境温度评估GIS母线导体温升状态的方法,其包括步骤:检测GIS母线外壳上第一检测点的温度在设定的时间区域内的外壳温度变化,并确定外壳温升速率;检测与第一检测点对应的GIS母线外壳周围环境内的第二检测点在设定的时间区域内的环境温度变化,并确定环境温升速率;基于环境温升速率与外壳温升速率的比值,确定GIS母线导体温升速率的第一初步范围;基于设定的环境影响系数K以及环境温升速率,确定GIS母线导体温升速率的第二初步范围;获取第一初步范围和第二初步范围的交集,并将交集作为导体温升速率最终范围;基于导体温升速率最终范围判断GIS母线导体的温升状态。