用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法

    公开(公告)号:CN101264890B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200810035221.7

    申请日:2008-03-27

    Inventor: 孙锋 张芳 张惠义

    Abstract: 一种材料技术领域的用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法,包括以下步骤:第一步,将Mg粉和Si粉按比例混合后球磨以活化粉末表面并保证混合均匀;第二步,将第一步得到的混合粉体装入坩埚,再整体放入一耐热合金材质的密封罐中进行密封;第三步,将密封罐放入普通的空气炉在700℃-900℃保温;第四步,将密封罐取出快冷到室温,即得到松散的Mg2Si粉体。本发明具有快速、高效的特点,由此方法制备的Mg2Si纯净度高、受杂质污染轻。

    用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法

    公开(公告)号:CN101264890A

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN200810035221.7

    申请日:2008-03-27

    Inventor: 孙锋 张芳 张惠义

    Abstract: 一种材料技术领域的用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法,包括以下步骤:第一步,将Mg粉和Si粉按比例混合后球磨以活化粉末表面并保证混合均匀;第二步,将第一步得到的混合粉体装入坩埚,再整体放入一耐热合金材质的密封罐中进行密封;第三步,将密封罐放入普通的空气炉在700℃-900℃保温;第四步,将密封罐取出快冷到室温,即得到松散的Mg2Si粉体。本发明具有快速、高效的特点,由此方法制备的Mg2Si纯净度高、受杂质污染轻。

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