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公开(公告)号:CN104313543A
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201410639613.X
申请日:2014-11-13
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0641 , C23C14/14
Abstract: 一种微电子和微机械技术领域的基于磁控溅射共沉积技术的Cu‐TiN纳米复合薄膜,具有纳米尺度且均匀混合的TiN添加物颗粒及Cu晶粒,TiN添加物颗粒的含量为1.0‐6.0at.%。本发明制备得到的复合薄膜的硬度为4.1‐5.1GPa,电阻率为3‐25μΩcm。在相同含量的添加物(对于Cu基合金薄膜指合金元素含量,对于Cu基复合薄膜则指所加入的化合物的含量)时,不但硬度显著高于目前工业生产上采用的Cu基合金薄膜,而且导电率也不低于而更多的是高于合金薄膜。这种薄膜可用于现代工业特别是微电子和微机械技术领域对导电薄膜提出的高硬度要求。
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公开(公告)号:CN115876593A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202310051529.5
申请日:2023-02-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金属板材压缩过程各向异性r值测定方法,解决了传统的r值测试方法难以准确测定板料压缩过程的各向异性r值的问题,其技术方案要点是通过开展板料单轴压缩试验并使用DIC系统记录识别压缩过程中的散斑图像、有限元模拟压缩过程获取最优计算区域,在最优计算区域通过DIC系统的面积平均法处理试验数据,获得试样在压缩过程中不同表面上的应变场变化,从而计算金属板料压缩过程的各向异性r值,本发明的一种金属板材压缩过程各向异性r值测定方法,能排除压缩过程变形不均匀性带来的计算误差,高效精确地标定材料压缩各向异性r值。
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