-
公开(公告)号：CN101603187A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910054914.5
申请日：2009-07-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的基于表面纳米阵列结构的高疏水性材料及其制备方法，包括：纳米针阵列和疏水薄膜，其中：疏水薄膜附着于纳米针阵列的表面，所述的纳米针阵列包括若干垂直于金属基材纵向生长排列紧密的纳米针。本发明制备所得的高疏水性材料经疏水实验表明接触角比普通疏水材料高50％。
-
公开(公告)号：CN101603187B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910054914.5
申请日：2009-07-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的基于表面纳米阵列结构的高疏水性材料的制备方法，包括：纳米针阵列和疏水薄膜，其中：疏水薄膜附着于纳米针阵列的表面，所述的纳米针阵列包括若干垂直于金属基材纵向生长排列紧密的纳米针。本发明制备所得的高疏水性材料经疏水实验表明接触角比普通疏水材料高50％。
-
公开(公告)号：CN101603176B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910054908.X
申请日：2009-07-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的表面金属基纳米阵列球布阵结构的制备方法，包括将金属基材依次进行表面除油处理、表面除锈处理以及酸洗处理；对金属基材实施电镀；对金属基材进行化学镀后制得表面金属基纳米阵列球布阵结构，本发明在电沉积过程中，通过加入结晶调整剂，控制活性点的数量并使得电结晶在每一个时刻都依赖活性点向镀液中延伸，使结晶按垂直于金属基材表面的方向一维纵向生长，形成微纳米针状晶布阵结构。之后利用化学镀方法，加入还原剂与缓冲剂，使纳米针上长出相近尺度的纳米球。此方法最大的优点在于不需要借助任何模版，无需复杂设备，对底材形状材质无特殊要求，适于工业化批量生产。
-
公开(公告)号：CN101603176A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910054908.X
申请日：2009-07-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的表面金属基纳米阵列球布阵结构的制备方法，包括将金属基材依次进行表面除油处理、表面除锈处理以及酸洗处理；对金属基材实施电镀；对金属基材进行化学镀后制得表面金属基纳米阵列球布阵结构，本发明在电沉积过程中，通过加入结晶调整剂，控制活性点的数量并使得电结晶在每一个时刻都依赖活性点向镀液中延伸，使结晶按垂直于金属基材表面的方向一维纵向生长，形成微纳米针状晶布阵结构。之后利用化学镀方法，加入还原剂与缓冲剂，使纳米针上长出相近尺度的纳米球。此方法最大的优点在于不需要借助任何模版，无需复杂设备，对底材形状材质无特殊要求，适于工业化批量生产。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
