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公开(公告)号：CN101319380B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810037418.4
申请日：2008-05-15
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种稀土242相控制组分生长超导块材的方法，在前驱体中添加轻稀土242(LRE2Ba4Cu2O9，LRE＝Nd，Sm等)相粉末来控制组分，先按比例将研磨烧结后的LRE123和LRE242粉末混合研磨，压制成前驱体片，然后在其顶部放上相应的籽晶，通过熔融织构方法制备LRE-BCO块体材料。本发明采用富钡的稀土242相粉末在高温熔融状态下可以调整熔体组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高制备的轻稀土钡铜氧超导体的超导转变温度和其它性能。
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公开(公告)号：CN1970848A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610117888.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法，通过冷籽晶法生长高温超导REBCO，采用沉积在单晶基板上的REBCO薄膜作种膜，该薄膜材料在单晶氧化镁基板上的熔化温度比同种REBCO材料的粉末或块材高10K以上且能够保持长时间不熔化。按照REBCO和适量添加RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上相应的REBCO薄膜作籽晶，通过熔融织构获得REBCO块体材料。本发明工艺简单，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。
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公开(公告)号：CN101319380A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810037418.4
申请日：2008-05-15
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种稀土242相控制组分生长超导块材的方法，在前驱体中添加轻稀土242(LRE2Ba4Cu2O9，LRE＝Nd，Sm等)相粉末来控制组分，先按比例将研磨烧结后的LRE123和LRE242粉末混合研磨，压制成前驱体片，然后在其顶部放上相应的籽晶，通过熔融织构方法制备LRE－BCO块体材料。本发明采用富钡的稀土242相粉末在高温熔融状态下可以调整熔体组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高制备的轻稀土钡铜氧超导体的超导转变温度和其它性能。
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公开(公告)号：CN101319379A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810037417.X
申请日：2008-05-15
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种45°稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导块材的方法，采用面内取向为45°四对称结构的稀土钡铜氧(REBCO)薄膜作籽晶，通过冷籽晶法同质外延生长高温超导REBCO块体材料。该种膜材料在单晶氧化镁基板上过热度可达到20K以上，其独特的面内取向则可以显著提高块材的生长速度。按照REBCO和适量RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上相应的长条形REBCO薄膜作籽晶，通过熔融织构方法制备REBCO块体材料。本发明工艺简单，提高了块材的生产效率，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下高速生长出高取向性的具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。
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