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发明公开
全碳透明光电器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116709793A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310755226.1

申请日：2023-06-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 苏言杰 , 刘菁

IPC: H10K30/65 , H10K30/82 , H10K85/20 , H10K71/00 , H10K71/12

Abstract: 本发明提供了一种全碳透明光电器件及其制备方法，包括透明导电衬底、GO薄膜介质层、半导体性SWCNT薄膜以及金属性SWCNT源漏电极；所述GO薄膜介质层设置在透明导电衬底上；所述半导体性SWCNT薄膜设置在GO薄膜介质层背离透明导电衬底的一面；所述金属性SWCNT源漏电极设置在半导体性SWCNT薄膜背离GO薄膜介质层的一面。本发明采用透明导电衬底，在可见光波段透光率高于80％，具有优越的透明性；其余功能结构均由碳纳米材料构成，创新性地采用GO薄膜代替传统金属氧化物作为介质层，碳纳米材料具有普遍性、无毒性、柔韧性和生物相容性，能够降低制备成本、扩大器件在仿生电子领域的应用场景。

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