公开(公告)号：CN1523443A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03150906.1

申请日：2003-09-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 冯兰 ,  顾明 ,  蔡英文 ,  何丹农 ,  余震

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  H01L21/363 ,  H01L23/16

Abstract: 一种制备材料芯片的k分分形掩膜方法，属于材料芯片领域。本发明以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数k为依据，首先将基本掩膜分成k个中心对称的区域，即k分分形，其中之一被设为通透状态，将所得掩膜依次向同一方向旋转360°/k，每旋转一次即溅射第一种元素的一个水平，旋转第一个周期后，芯片上有k个材料单元，以后每加入一种元素采用一张新掩膜，将当前芯片上材料单元区对应的掩膜区域按照基本掩膜的分形方式进行分形就得到下一张新的掩膜，即每张掩膜都有与基本掩膜相似的结构，经过n次分形叠加以k次旋转操作就得到最大水平数为k的任意n种元素组合而成的材料芯片。本发明方法不受元素的水平数限制，具有较强的实用性和普遍的适用性。

公开(公告)号：CN1261817C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03150906.1

申请日：2003-09-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 冯兰 ,  顾明 ,  蔡英文 ,  何丹农 ,  余震

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  H01L21/363 ,  H01L23/16

Abstract: 一种制备材料芯片的k分分形掩膜方法，本发明以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数k为依据，首先将基本掩膜分成k或(k+1)个中心对称的区域，即k分分形，其中之一被设为通透状态，将所得掩膜依次向同一方向旋转360°/k，每旋转一次即溅射第一种元素的一个水平，旋转第一个周期后，芯片上有k个材料单元，以后每加入一种元素采用一张新掩膜，新掩膜是将当前芯片上材料单元区对应的每一个掩膜区域按照基本掩膜的分形方式进行分形而得到的，以此类推，即每张掩膜都有与基本掩膜相似的形状，经过n次分形叠加以k次旋转操作就得到最大水平数为k的任意n种元素组合而成的材料芯片。本发明方法不受元素的水平数限制，具有较强的实用性和普遍的适用性。