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公开(公告)号：CN103673885A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210320309.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明提供一种光电位移传感器，至少包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线；所述金属薄膜层包括单一金属或金属合金；本发明还可以包括形成在所述半导体衬底和所述金属薄膜层之间的氧化物层；所述氧化物层为氧化物半导体层或金属氧化物层。本发明通过将金属薄膜层作为光电位置传感器的光响应面，相对于目前的光电位移传感器来说，可以显著提高和改善光电位移传感器的线性度和灵敏度，而且本发明结构简单，适用于大规模工业生产应用。
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公开(公告)号：CN103680607A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210320312.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种光场探测元件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的氧化物层；形成在所述氧化物层上的金属薄膜层；形成在所述金属薄膜层上的挡光层，所述挡光层的一端设有透光孔；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。本发明的光场探测元件根据激光照射金属薄膜层产生的光致电阻效应，可以用电阻变化表示存储单元有光和无光两种状态，电阻随激光照射位置变化的空间分辨率非常高，因而本发明的光场探测元件可以显著提高光存储器的密度；同时可以用于制备光控变阻器、光控二极管，此外，本发明结构简单，适用于大规模工业生产应用。
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公开(公告)号：CN202749404U
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201220443596.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型提供一种光场探测元件，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的氧化物层；形成在氧化物层上的金属薄膜层；形成在所述金属薄膜层上的挡光层，所述挡光层的一端设有透光孔；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。本实用新型的光场探测元件根据激光照射金属薄膜层产生的光致电阻效应，可以用电阻的极性变化状态表示存储单元有光和无光两种状态，电阻随激光照射位置变化的空间分辨率非常高，因而本实用新型的光光场探测元件可以显著提高光存储器的密度；同时可以用于制备光控变阻器、光控二极管，此外，本实用新型结构简单，适用于大规模工业生产应用。
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公开(公告)号：CN202814345U
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201220443456.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本实用新型提供一种光电位移传感器，至少包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线；所述金属薄膜层包括单一金属或金属合金；本实用新型还可以包括形成在所述半导体衬底和所述金属薄膜层之间的氧化物层；所述氧化物层为氧化物半导体层或金属氧化物层。本实用新型通过将金属薄膜层作为光电位置传感器的光响应面，相对于目前的光电位移传感器来说，可以显著提高和改善光电位移传感器的线性度和灵敏度，同时本实用新型结构简单，适用于大规模工业生产应用。
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