一种基于共价有机框架材料的薄膜电极的制备方法

    公开(公告)号:CN110164716B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201910468445.5

    申请日:2019-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于共价有机框架材料的薄膜电极的制备方法,涉及材料制备领域,所述方法包括以下步骤:先合成全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料;再将制备得到的所述共价有机框架材料和商品化单壁碳纳米管用N,N‑二甲基甲酰胺分散得到分散液;接着将所述分散液加到电极模板上,真空抽滤得到薄膜电极;最后将得到的所述薄膜电极转移到柔性基板上,真空干燥,得到可用于制造柔性微型超级电容器的柔性电极。本发明操作易行,设备简单,能够大规模制备;采用插指形状,使电极间距尽可能缩小,器件尽可能微型化;比面积电容可达15.2mF·cm‑2,在超级电容器具有很大的应用潜力。

    一种全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110183676A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910468765.0

    申请日:2019-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料的制备方法,涉及共价有机框架材料的制备技术领域,包括以下步骤:在耐压瓶中加入1,3,5-三甲基-2,4-二氰基吡啶、2,4,6-三(对醛基苯基)-1,3,5-三嗪、无水哌啶和无水N,N-二甲基甲酰胺,以上材料在氩气保护下加热反应,反应结束后,用真空抽滤法收集固体,然后用二氯甲烷和水洗,收集固体后进行真空干燥24h,得到黄色固体产物全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料。本发明的制备方法设备简单,操作方便,合成方法步骤简易,成本低廉,所制得的材料具有规整孔道结构,丰富活性位点和高效电子传导的能力。

    一种基于共价有机框架材料的薄膜电极的制备方法

    公开(公告)号:CN110164716A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910468445.5

    申请日:2019-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于共价有机框架材料的薄膜电极的制备方法,涉及材料制备领域,所述方法包括以下步骤:先合成全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料;再将制备得到的所述共价有机框架材料和商品化单壁碳纳米管用N,N-二甲基甲酰胺分散得到分散液;接着将所述分散液加到电极模板上,真空抽滤得到薄膜电极;最后将得到的所述薄膜电极转移到柔性基板上,真空干燥,得到可用于制造柔性微型超级电容器的柔性电极。本发明操作易行,设备简单,能够大规模制备;采用插指形状,使电极间距尽可能缩小,器件尽可能微型化;比面积电容可达15.2mF·cm-2,在超级电容器具有很大的应用潜力。

    一种全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110183676B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201910468765.0

    申请日:2019-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料的制备方法,涉及共价有机框架材料的制备技术领域,包括以下步骤:在耐压瓶中加入1,3,5‑三甲基‑2,4‑二氰基吡啶、2,4,6‑三(对醛基苯基)‑1,3,5‑三嗪、无水哌啶和无水N,N‑二甲基甲酰胺,以上材料在氩气保护下加热反应,反应结束后,用真空抽滤法收集固体,然后用二氯甲烷和水洗,收集固体后进行真空干燥24h,得到黄色固体产物全共轭碳碳双键连接的富氮共价有机框架材料。本发明的制备方法设备简单,操作方便,合成方法步骤简易,成本低廉,所制得的材料具有规整孔道结构,丰富活性位点和高效电子传导的能力。

    一种二维聚苯环桥接吡咯及其制备方法

    公开(公告)号:CN109081917B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201811176678.X

    申请日:2018-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种二维聚苯环桥接吡咯的制备方法,涉及二维碳材料制备领域,所述制备方法包括如下步骤:首先将2,5‑二甲氧基四氢呋喃、对苯二胺和无水氯化铜加入到三口烧瓶中,再加入去离子水,鼓N2,恒温下进行搅拌;然后向三口烧瓶中加入乙酸乙酯后,进行过滤,将滤液进行水洗、旋蒸后得到固体粗产物;用硅胶柱层析法处理此固体粗产物后,进行旋蒸、真空干燥得到苯环桥接吡咯单体;最后以丙酮为溶剂,FeCl3为氧化剂将苯环桥接吡咯单体进行氧化聚合,得到二维聚苯环桥接吡咯;该方法温和简单且成本低。本发明制备的二维聚苯环桥接吡咯为纳米二维片状结构,氮含量为6.5%,应用在超级电容器上具有高达100F/g的比容量。

    一种二维聚苯环桥接吡咯及其制备方法

    公开(公告)号:CN109081917A

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201811176678.X

    申请日:2018-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种二维聚苯环桥接吡咯的制备方法,涉及二维碳材料制备领域,所述制备方法包括如下步骤:首先将2,5-二甲氧基四氢呋喃、对苯二胺和无水氯化铜加入到三口烧瓶中,再加入去离子水,鼓N2,恒温下进行搅拌;然后向三口烧瓶中加入乙酸乙酯后,进行过滤,将滤液进行水洗、旋蒸后得到固体粗产物;用硅胶柱层析法处理此固体粗产物后,进行旋蒸、真空干燥得到苯环桥接吡咯单体;最后以丙酮为溶剂,FeCl3为氧化剂将苯环桥接吡咯单体进行氧化聚合,得到二维聚苯环桥接吡咯;该方法温和简单且成本低。本发明制备的二维聚苯环桥接吡咯为纳米二维片状结构,氮含量为6.5%,应用在超级电容器上具有高达100F/g的比容量。

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