公开(公告)号：CN1184715A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN97121532.4

申请日：1997-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  大阳东洋酸素株式会社

Inventor： 菅野至 ,  多田益太 ,  小川光博

IPC: B05B7/04 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B7/0433 ,  B05B7/0475 ,  B05B7/0483 ,  B08B3/02

Abstract: 以强力清除附着在半导体基板等上面的微小异物,并不会损伤基板。在将液滴喷射在气体中而清洗掉附着在半导体基板等的表面上的异物的清洗用双流体喷嘴中,将混合加压气体和液体形成液滴的混合部的气体流路的截面积设置成比随着气体一起使液滴加速并喷射在气体中的加速管的流路的截面积要大的形状。此外,将加速管设计成圆形直管形状或者拉瓦尔喷管形状。

公开(公告)号：CN1093781C

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN97121532.4

申请日：1997-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  大阳东洋酸素株式会社

Inventor： 菅野至 ,  多田益太 ,  小川光博

IPC: B05B7/04 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B7/0433 ,  B05B7/0475 ,  B05B7/0483 ,  B08B3/02

Abstract: 以强力清除附着在半导体基板等上面的微小异物，并不会损伤基板。在将液滴喷射在气体中而清洗掉附着在半导体基板等的表面上的异物的清洗用双流体喷嘴中，将混合加压气体和液体形成液滴的混合部的气体流路的截面积设置成比随着气体一起使液滴加速并喷射在气体中的加速管的流路的截面积要大的形状。此外，将加速管设计成圆形直管形状或者拉瓦尔喷管形状。

公开(公告)号：CN1091627C

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN98103760.7

申请日：1998-02-19

Applicant: 大阳东洋酸素株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 水野全 ,  多田益太 ,  山崎纪男 ,  福本隼明

IPC: B01D53/02

CPC classification number: F24F3/16 ,  F24F2003/1621

Abstract: 本发明以大气为原料，可以高效率地制造在管道式晶片输送系统等中使用的、不会污染晶片或产生自然氧化膜的超净空气。即，用活性氧化铝与合成沸石的混合物7a在常温下对取自大气的原料空气1a进行吸附处理，尽可能地主要除去水分和二氧化碳气体，得到前处理空气1b。用第1热交换器12冷却前处理空气1b，在-40℃～-60℃下用合成沸石9a进行吸附处理，然后用第2热交换器13冷却该处理空气1c，在-150℃～-180℃下用合成沸石10a吸附处理，得到氮、氧、稀有气体以外的化学成分的浓度为1ppb以下且露点为-100℃以下的超净空气1e。

公开(公告)号：CN1207954A

公开(公告)日：1999-02-17

申请号：CN98103760.7

申请日：1998-02-19

Applicant: 大阳东洋酸素株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 水野全 ,  多田益太 ,  山崎纪男 ,  福本隼明

IPC: B01D53/02

CPC classification number: F24F3/16 ,  F24F2003/1621

Abstract: 本发明以大气为原料,可以高效率地制造在管道式晶片输送系统等中使用的、不会污染晶片或产生自然氧化膜的超净空气。即,用活性氧化铝与合成沸石的混合物7a在常温下对取自大气的原料空气1a进行吸附处理,尽可能地主要除去水分和二氧化碳气体,得到前处理空气1b。用第1热交换器12冷却前处理空气1b,在－40℃～－60℃下用合成沸石9a进行吸附处理,然后用第2热交换器13冷却该处理空气1c,在－150℃～－180℃下用合成沸石10a吸附处理,得到氮、氧、稀有气体以外的化学成分的浓度为1ppb以下且露点为－100℃以下的超净空气1e。