公开(公告)号：CN100336229C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410059229.9

申请日：2004-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树 ,  青野真司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395

Abstract: 即使在1个芯片内形成IGBT和续流二极管，也能良好地控制IGBT和二极管的二种电特性(导通电压)。在续流二极管内置型IGBT中，将研磨后的晶片厚度D设定为小于等于200μm，将阴极N+层8的厚度T8和P+集电极层9的厚度T9都设定为小于等于2μm。再者，将关于宽度方向X的阴极N+层8和P+集电极层9的宽度的和设定为大于等于50μm至小于等于200μm的范围内。此时，界面IF中P+集电极层9与集电极10的界面IF2所占的比例成为30%～80%的范围内的值。

公开(公告)号：CN102569354B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110287695.2

申请日：2011-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明的目的在于提供使耐压的保持和低导通电压化并存的沟槽栅型IGBT。本发明的IGBT具备：第1导电型的缓冲层（11）；在缓冲层（11）的第1主面上形成的第1漂移层；在所述第1漂移层上形成的第1的导电型的第2漂移层（3）；在第2漂移层（3）上形成的第2导电型的基极层（4）；在基极层（4）的表面选择性地形成的第1导电型的发射极层（5）；从发射极层（5）的表面起向第2漂移层（3）中贯通并隔着栅极绝缘膜（7）而埋入形成的栅极电极（8）；与发射极层（5）导通的发射极电极（10）；在缓冲层（11）的第2主面上形成的第2导电型的集电极层（12）；以及在集电极层（12）上形成的集电极电极（13），所述第1漂移层是第1导电型的第1层（1）和第2导电型的第2层（2）在水平方向反复的结构。

公开(公告)号：CN101246900A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710161306.5

申请日：2007-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  高桥英树 ,  友松佳史 ,  守谷纯一

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。载流子存储层(3)位于自N衬底(1)的表面预定深度的区域中，基区(2)位于浅于该预定深度的区域中，和发射区(4)位于N衬底的表面中。载流子存储层(3)通过注入磷以在预定深度处具有最大杂质浓度来形成，基区(2)通过注入硼以在浅于该预定深度的位置处具有最大杂质浓度来形成，和发射区(4)通过注入砷以在N衬底的表面处具有最大杂质浓度来形成。形成开口(1a)以延伸通过发射区(4)、基区(2)和载流子存储层(3)。在开口(1a)的内壁上，形成栅电极(8)且其间具有栅极绝缘膜(7)。

公开(公告)号：CN101246900B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710161306.5

申请日：2007-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  高桥英树 ,  友松佳史 ,  守谷纯一

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。载流子存储层(3)位于自N衬底(1)的表面预定深度的区域中，基区(2)位于浅于该预定深度的区域中，和发射区(4)位于N衬底的表面中。载流子存储层(3)通过注入磷以在预定深度处具有最大杂质浓度来形成，基区(2)通过注入硼以在浅于该预定深度的位置处具有最大杂质浓度来形成，和发射区(4)通过注入砷以在N衬底的表面处具有最大杂质浓度来形成。形成开口(1a)以延伸通过发射区(4)、基区(2)和载流子存储层(3)。在开口(1a)的内壁上，形成栅电极(8)且其间具有栅极绝缘膜(7)。

公开(公告)号：CN1577884A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059229.9

申请日：2004-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥英树 ,  青野真司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395

Abstract: 即使在1个芯片内形成IGBT和续流二极管，也能良好地控制IGBT和二极管的二种电特性(导通电压)。在续流二极管内置型IGBT中，将研磨后的晶片厚度D设定为小于等于200μm，将阴极N+层8的厚度T8和P+集电极层9的厚度T9都设定为小于等于2μm。再者，将关于宽度方向X的阴极N+层8和P+集电极层9的宽度的和设定为大于等于50μm至小于等于200μm的范围内。此时，界面IF中P+集电极层9与集电极10的界面IF2所占的比例成为30％～80％的范围内的值。

公开(公告)号：CN104350602A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280073607.1

申请日：2012-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种沟槽栅极型的IGBT及其制造方法，该沟槽栅极型的IGBT兼顾耐压的保持和低导通电压化，并且进行单极动作的电流密度范围较大。本发明的IGBT是漂移层由超级结构造形成，且在背面具有IGBT区域和FWD区域的SJ－RC－IGBT，其特征在于，第1漂移层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于10μm而小于50μm，缓冲层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于2μm而小于15μm。

公开(公告)号：CN101651138A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910135466.1

申请日：2009-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  守谷纯一

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。p型区域(2，4)设置在第一n型区域(1)上。第二n型区域(3)通过p型区域(2，4)与第一n型区域(1)隔开，设置在p型区域(2，4)上。栅极电极(8)用于在第一和第二n型区域(1，3)之间形成n沟道。第一电极(6)与p型区域(4)和第二n型区域(3)的每一个电连接。第二电极(11)以通过第一n型区域(1)与p型区域(2)隔开、并且至少一部分与第一n型区域(1)相接的方式设置在第一n型区域(1)上。第二电极(11)由金属和合金的任一种构成，用于向第一n型区域(1)注入空穴。由此，能够提供栅极电极型的、通过简洁的结构能够抑制导通电阻的半导体装置、以及其制造方法。

公开(公告)号：CN100423287C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200510065008.7

申请日：2005-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  山本绫 ,  高桥英树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种反向导通型半导体元件在衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和恢复特性优良的整流二极管。该反向导通型半导体元件在由第一导电类型半导体构成的衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和整流二极管，其中，整流二极管包含绝缘栅双极晶体管的第二导电类型的基极层和第一导电类型的基极层，将衬底的一个表面的发射极电极作为阳极电极，将衬底的另一个表面的集电极电极作为阴极电极，并由此构成该整流二极管，在第一导电类型的基极层的一部分之上，形成载流子寿命比其它第一导电类型的基极层更短的短寿命区域。

公开(公告)号：CN104350602B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280073607.1

申请日：2012-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明的目的在于提供一种沟槽栅极型的IGBT及其制造方法，该沟槽栅极型的IGBT兼顾耐压的保持和低导通电压化，并且进行单极动作的电流密度范围较大。本发明的IGBT是漂移层由超级结构造形成，且在背面具有IGBT区域和FWD区域的SJ－RC－IGBT，其特征在于，第1漂移层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于10μm而小于50μm，缓冲层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于2μm而小于15μm。

公开(公告)号：CN102569354A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110287695.2

申请日：2011-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明的目的在于提供使耐压的保持和低导通电压化并存的沟槽栅型IGBT。本发明的IGBT具备：第1导电型的缓冲层（11）；在缓冲层（11）的第1主面上形成的第1漂移层；在所述第1漂移层上形成的第1的导电型的第2漂移层（3）；在第2漂移层（3）上形成的第2导电型的基极层（4）；在基极层（4）的表面选择性地形成的第1导电型的发射极层（5）；从发射极层（5）的表面起向第2漂移层（3）中贯通并隔着栅极绝缘膜（7）而埋入形成的栅极电极（8）；与发射极层（5）导通的发射极电极（10）；在缓冲层（11）的第2主面上形成的第2导电型的集电极层（12）；以及在集电极层（12）上形成的集电极电极（13），所述第1漂移层是第1导电型的第1层（1）和第2导电型的第2层（2）在水平方向反复的结构。