公开(公告)号：CN118693135A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410299285.7

申请日：2024-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野隆二 ,  铃木干人 ,  前川佑树 ,  三好启友

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28 ,  H02M1/00 ,  H02M3/00 ,  H02M7/00

Abstract: 目的在于提供减少电极之上的金属层的外观不均的半导体装置。还涉及电力变换装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(101)具有半导体基板(1)、表面电极(2)、第1金属层(3)及第2金属层(4)。表面电极(2)包含Al。表面电极(2)设置于半导体基板(1)的表面。第1金属层(3)包含Ni。第1金属层(3)设置于表面电极(2)之上。第2金属层(4)包含Ni。第2金属层(4)设置于第1金属层(3)之上。第1金属层(3)的表面粗糙度大于第2金属层(4)的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN118737915A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410336153.7

申请日：2024-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木干人 ,  上野隆二 ,  中村祥太郎

IPC: H01L21/673

Abstract: 本发明提供能够在确保高的脱液性的同时防止晶片的旋转以及浮起的晶片收纳容器。晶片收纳容器具备：重叠配置的两个以上的框体框架(10)；和形成于框体框架(10)彼此之间的晶片保持构造。晶片保持构造具备从该晶片保持构造的两侧的框体框架(10)分别延伸的多个臂(11)，并且通过由一侧的框体框架(10)的多个臂(11)和另一侧的框体框架(10)的多个臂(11)夹持晶片(1)的外缘部来保持晶片(1)。

公开(公告)号：CN116646405A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310131181.0

申请日：2023-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村胜光 ,  武田直幸 ,  铃木干人 ,  田中香次

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/30 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的目的在于在功率半导体装置中将接通电压与通断损耗之间的折衷特性向高速侧进行移动而不依赖于载流子寿命控制方法，并且实现低断开损耗及高温动作。就RFC二极管(1001)而言，半导体衬底(20)具有n‑漂移层(7)、n缓冲层(8)和在n缓冲层(8)与第二金属层(11)之间与两者接触地设置的扩散层。扩散层在二极管区域(31)具有与n缓冲层(8)及第二金属层(11)接触地设置的n+阴极层(90)。n+阴极层(90)具有：第一n+阴极层(91)，其与第二金属层(11)接触；以及第二n+阴极层(92)，其在第一n+阴极层(91)与n缓冲层(8)之间与n缓冲层(8)接触地设置。第一n+阴极层(91)的晶体缺陷密度高于其它扩散层的晶体缺陷密度。