公开(公告)号：CN101409425B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810125556.8

申请日：2008-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 笠井信之

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供能够抑制激光器特性的偏差并提高可靠性的单片半导体激光器的制造方法。形成元件间隔离的第一、第二半导体激光器(19)、(29)。第二半导体激光器(29)的第四上覆盖层(26)和第二接触层(27)相加的膜厚X比第一半导体激光器(19)的第二上覆盖层(16)和第一接触层(17)相加的膜厚Y薄。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的干法刻蚀，同时在第一、第二半导体激光器(19)、(29)上形成第一、第二脊(32)、(33)，在第二刻蚀停止层(25)在第二脊(33)的侧面的部分露出的时刻停止干法刻蚀。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的湿法刻蚀，选择性地除去在第一脊(32)的侧面的部分在残留所述第一刻蚀停止层(15)上的第二上覆盖层(16)。

公开(公告)号：CN1392641A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02119180.8

申请日：2002-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阿部真司 ,  八木哲哉 ,  宫下宗治 ,  西口晴美 ,  大仓裕二 ,  笠井信之 ,  田代贺久 ,  谷村纯二

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/16

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。

公开(公告)号：CN101409425A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810125556.8

申请日：2008-06-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 笠井信之

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供能够抑制激光器特性的偏差并提高可靠性的单片半导体激光器的制造方法。形成元件间隔离的第一、第二半导体激光器(19)、(29)。第二半导体激光器(29)的第四上覆盖层(26)和第二接触层(27)相加的膜厚X比第一半导体激光器(19)的第二上覆盖层(16)和第一接触层(17)相加的膜厚Y薄。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的干法刻蚀，同时在第一、第二半导体激光器(19)、(29)上形成第一、第二脊(32)、(33)，在第二刻蚀停止层(25)在第二脊(33)的侧面的部分露出的时刻停止干法刻蚀。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的湿法刻蚀，选择性地除去在第一脊(32)的侧面的部分在残留所述第一刻蚀停止层(15)上的第二上覆盖层(16)。