公开(公告)号：CN1153257C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN98119254.8

申请日：1998-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田佳子 ,  山口泰男 ,  成冈英树 ,  岩松俊明 ,  木村泰広 ,  平野有一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155

Abstract: 一种半导体衬底的处理方法和半导体衬底，提供了防止从衬底边缘部产生颗粒。通过在SOI衬底10的边缘部处相对于SOI衬底10的直径方向注入硅离子，SOI衬底10的边缘部的埋入氧化膜2成为富硅的状态，作成在边缘部处埋入氧化膜2实际上已消失的SOI衬底100。

公开(公告)号：CN1223458A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98119254.8

申请日：1998-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田佳子 ,  山口泰男 ,  成冈英树 ,  岩松俊明 ,  木村泰広 ,  平野有一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155

Abstract: 提供防止从衬底边缘部产生颗粒的半导体衬底的处理方法和半导体衬底。通过在SOI衬底10的边缘部处相对于SOI衬底10的直径方向注入硅离子,SOI衬底10的边缘部的埋入氧化膜2成为富硅的状态,作成在边缘部处埋入氧化膜2实际上已消失的SOI衬底100。