-
公开(公告)号：CN101262120B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810085243.4
申请日：2008-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 吉田保明
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S3/22 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0287
Abstract: 本发明提供一种在谐振器的端面形成保护膜的长寿命的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：沿激光的行进方向(X方向)设置的谐振器；设于谐振器的一端且射出激光的前端面(8)；设于谐振器的另一端的后端面(9)。在前端面(8)和后端面(9)的至少一个面的最前面，设有阳极氧化膜。将激光的振动波长设为λ、阳极氧化膜的折射率设为n时，阳极氧化膜的厚度优选为λ/4n或其奇数倍。
-
公开(公告)号：CN1244973C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN03120052.4
申请日：2003-02-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/02461 , H01S5/162 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2227 , H01S2301/18
Abstract: 半导体激光器件，具有：第一电极；设置在所述第一电极上的第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一包覆层；位于所述第一包覆层上的有源层；位于所述有源层上的与第一导电类型不同的第二导电类型的第二包覆层；绝缘体层；部分设置于所述绝缘体层上的与所述第二包覆层的第一部分电气连接的第二电极，其特征在于，第一和第二包覆层由AlGaInP制成，其中绝缘体层覆盖第二包覆层的第二部分但不覆盖第二包覆层的第一部分，第二包覆层的第一部分比第二部分厚，且位于两个所述第二包覆层的第二部分之间，所述绝缘体层具有导热率和厚度，所述绝缘体层的层厚倒数与导热率之积小于4×108W/(m2·K)。
-
公开(公告)号：CN100426608C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610077820.6
申请日：2003-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底(1)的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
-
公开(公告)号：CN101262121A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083805.1
申请日：2008-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 吉田保明
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0287 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种在涂敷膜和半导体之间具备容易形成的粘合层的半导体激光装置。半导体激光装置具备：沿激光的行进方向设置的谐振器、设于谐振器的一端且射出激光的前端面(8)、设于谐振器的另一端的后端面(9)。在前端面(8)和后端面(9)上分别形成有粘合层(21)、(23)，和涂敷膜(22)、(24)。粘合层(21)、(23)最好由Al、Ti、Nb、Zr、Ta、Si或Hf的阳极氧化膜构成，且厚度为10nm以下。
-
公开(公告)号：CN100382399C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510119477.2
申请日：2005-11-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1463059A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03120052.4
申请日：2003-02-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/02461 , H01S5/162 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2227 , H01S2301/18
Abstract: 提供一种半导体激光器件，即使在光输出变化时远视场图像FFPx的光强度半值宽度之差ΔFFPx也无大变化。半导体激光器件10具有：第一电极6a、在所述第一电极上顺序层叠的第一导电类型的衬底1、第一导电类型的第一包覆层2、有源层3、具有多段层厚的第二导电类型的第二包覆层4、覆盖所述第二包覆层的层厚相对较厚的段部分以外部分的绝缘体层5，与所述第二包覆层的所述层厚相对较厚的段部分电气连接的第二电极6b，所述绝缘体层的层厚倒数与导热率之积小于4×108W/(m2·K)。
-
公开(公告)号：CN101262121B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810083805.1
申请日：2008-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 吉田保明
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0287 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种在涂敷膜和半导体之间具备容易形成的粘合层的半导体激光装置。半导体激光装置具备：沿激光的行进方向设置的谐振器、设于谐振器的一端且射出激光的前端面(8)、设于谐振器的另一端的后端面(9)。在前端面(8)和后端面(9)上分别形成有粘合层(21)、(23)，和涂敷膜(22)、(24)。粘合层(21)、(23)最好由Al、Ti、Nb、Zr、Ta、Si或Hf的阳极氧化膜构成，且厚度为10nm以下。
-
公开(公告)号：CN101262120A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810085243.4
申请日：2008-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 吉田保明
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S3/22 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0287
Abstract: 本发明提供一种在谐振器的端面形成保护膜的长寿命的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：沿激光的行进方向(X方向)设置的谐振器；设于谐振器的一端且射出激光的前端面(8)；设于谐振器的另一端的后端面(9)。在前端面(8)和后端面(9)的至少一个面的最前面，设有阳极氧化膜。将激光的振动波长设为λ、阳极氧化膜的折射率设为n时，阳极氧化膜的厚度优选为λ/4n或其奇数倍。
-
公开(公告)号：CN1306669C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310119695.7
申请日：2003-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底1的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
-
公开(公告)号：CN1848567A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610077820.6
申请日：2003-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n－GaAs衬底1的上边，顺序地将n－AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p－AlxGa1－xAs－ESL5、具备条状凸部(6)的p－AlGaInP第2上包层(7)、以及p－GaAs接触层(8)层叠起来。除p－AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P－AlxGa1－xAs－ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.024 seconds)
