公开(公告)号：CN111344840A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880072262.5

申请日：2018-11-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳本辰则 ,  佐藤香织 ,  菊池正雄

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：第1主电极及第2主电极，分别配设于半导体基板的第1主面上及第2主面上；保护膜，配设于所述第1主电极的端缘部上；以及第1金属膜，配设于所述第1主电极上的由所述保护膜包围的区域，在所述第1金属膜中，中心部分的膜厚比与所述保护膜相接的部分的膜厚更厚，并且在表面具有凹凸。

公开(公告)号：CN111344840B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201880072262.5

申请日：2018-11-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柳本辰则 ,  佐藤香织 ,  菊池正雄

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：第1主电极及第2主电极，分别配设于半导体基板的第1主面上及第2主面上；保护膜，配设于所述第1主电极的端缘部上；以及第1金属膜，配设于所述第1主电极上的由所述保护膜包围的区域，在所述第1金属膜中，中心部分的膜厚比与所述保护膜相接的部分的膜厚更厚，并且在表面具有凹凸。