-
公开(公告)号：CN1025254C
公开(公告)日：1994-06-29
申请号：CN88106996
申请日：1988-10-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的磁记录介质，是在磁盘基片的磁性层的表面，用离子束镀膜法来形成一个表面保护层，其材质可以是铝、硅、钛的氧化物、氮化物或炭化物，以及金刚石或炭。该表面保护层的附着强度很高，表面平滑、硬度很高，不仅具有很优良的耐磨性、耐磁头的冲击性，而且也有很好的耐湿性，由于在低温过程中形成，从而可廉价制造，品质也很稳定。
-
公开(公告)号：CN1019513B
公开(公告)日：1992-12-16
申请号：CN87107161
申请日：1987-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 伊藤弘基
CPC classification number: C30B25/02 , C23C14/0021 , C23C14/221 , C30B29/38
Abstract: 本发明的化合物薄膜形成装置，在设于真空槽内的内部槽中设置电场屏蔽板，用以将电子束引出电极及电子束放出机构电位屏蔽，并在该电场屏蔽板与衬底之间设置加速电极。用以偏置电子束引出电极和电子束放出机构为正电位并将反应性气体加速。这样，使放出的电子束集中在反应性气体的通道附近，促进反应性气体的激励、离解或电离，从而能控制在印刷电路衬底上形成的蒸镀薄膜的结晶性和附着力等膜质，具有高速高效率地蒸镀优质薄膜的效果。
-
公开(公告)号：CN87107161A
公开(公告)日：1988-05-11
申请号：CN87107161
申请日：1987-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 伊藤弘基
CPC classification number: C30B25/02 , C23C14/0021 , C23C14/221 , C30B29/38
Abstract: 本发明的化合物薄膜形成装置，在设于真空槽内的内部槽中设置电场屏蔽板，用以将电子束引出电极及电子束放出机构电位屏蔽，并在该电场屏蔽板与衬底之间设置加速电极，用以偏置电子束引出电极和电子束放出机构为正电位并将反应性气体加速。这样，使放出的电子束集中在反应性气体的通道附近，促进反应性气体的激励、离解或电离，从而能控制在印刷电路衬底上形成的蒸镀薄膜的结晶性和附着力等膜质，具有高速高效率地蒸镀优质薄膜的效果。
-
公开(公告)号：CN102265368B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN200880132555.4
申请日：2008-12-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01H9/563
Abstract: 本发明的目的在于提供一种相位控制开关装置。该相位控制开关装置(50)包括断路器(30)、相位差检测部(41)、存储部(42)、及断路器控制部(44)。相位差检测部(41)在多个时刻对分别与三相发电机(10、20)相连接的母线(11、21)间的特定相(U相)的电压的相位差进行检测。存储部(42)对所检测出的相位差进行存储。断路器控制部(44)在三相发电机(10、20)间失去同步的情况下，基于存储在存储部(42)中的多个时刻的相位差，来对母线(11、21)间的U相电压的相位差在-80°以上到80°以下的范围内的断开时刻进行推定。然后，断路器控制部(44)将断路器(30)开路，使得电流在所推定的断开时刻被断开。由此，能够抑制在断开电流后产生于断路器(30)的电极之间的过渡电压。
-
公开(公告)号：CN100514785C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510066642.2
申请日：2005-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种相位控制开关装置，该装置在三相的各断路器断开之同时还三相一起切断电流的情况下，控制断路器的接通断开动作，使得即使在第1相刚关合后的第2关合相及第3关合相的剩余磁通的差近似为零。在三相中任一相的电压零点，使各断路器50的各灭弧室内的各触头三相同时断开。在三相的各断路器50断开之同时如三相一起切断电流，则由于能控制变压器10的各相剩余磁通大小，使得电压零点处断开的相的剩余磁通大小为最大(例如-2K或+2K)，其它的两相的剩余磁通大小为和电压零点处断开的相的剩余磁通大小极性相反、大小约为其1/2的近似相同的剩余磁通大小(例如+K和+K、或-K和-K)，故通过将电压零点断开的相作为第1个相关合，在第1相刚关合后的第2关合相及第3关合相的剩余磁通的差就能近似为零。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1308354A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN00137229.7
申请日：2000-11-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01H33/59
Abstract: 一种相控制开关设备,包括用于闭合/断开连接于△连接的三相电源的变压器(10)的断路器(50);用于分别驱动断路器(50)的相触头的驱动装置(54);用于预测相电压波形的相位以及预测相电流波形的基准相检测单元(82);预测变压器(10)的各相中的剩磁通的剩磁通检测单元(83);用于预测各相的最佳闭合时间点的运算处理/运行单元(81);以及用于在预测的最佳闭合时间点起动断路器触头闭合运行的处理/运行控制单元(81)。
-
公开(公告)号：CN87104933A
公开(公告)日：1988-01-27
申请号：CN87104933
申请日：1987-07-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C16/48
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/487 , C23G5/00
Abstract: 本发明的薄膜形成装置具有真空槽和内部槽，在内部槽设有喷射气体的喷嘴，同时，切去相当于从喷嘴喷出的气体的通路部分的内部槽壁，并在反应性气喷出的真空槽内设置印刷电路板，在内部槽内的反应气体通路方向设置电子束引出电极及电子束放出装置，在内部槽的反应气体通路及上述壁面的切去部分之间安装加速电极。本发明的薄膜形成装置具有高速蒸镀，以获得不同膜质的高功能薄膜。并可在较低的温度形成薄膜。
-
公开(公告)号：CN102959669B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201080067252.6
申请日：2010-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01H33/593 , H01H9/563
Abstract: 本发明获得能抑制伴随相位提前性负载电路的合闸动作而产生过渡电压、电流的相位控制开关装置。包括：残留电压极性推定部(81a)，该残留电压极性推定部(81a)在从上一次的各相负载侧电压的零点起的规定期间内、无法检测出下一次的各相负载侧电压的零点的情况下，将最后检测出的各相负载侧电压的零点判断为各相即将断开前的各相负载侧电压的零点，将该各相即将断开前的各相负载侧电压的零点处的负载侧电压的时间微分值的极性推定为断路器(50)开闸后的各相残留电压的极性；以及合闸相位控制部(81b)，该合闸相位控制部(81b)将断路器(50)控制成在从断路器(50)开闸后的各相残留电压的极性反转为与其相反的极性的各相电源侧电压的零点处进行合闸。
-
公开(公告)号：CN103180926A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201080069827.8
申请日：2010-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01H33/59
Abstract: 本发明得到一种浪涌电流抑制装置，该浪涌电流抑制装置能够抑制由于残留磁通与稳态磁通不一致而引起的励磁涌流。该浪涌电流抑制装置包括残留磁通计算部（51），该残留磁通计算部（51）预先保存有通过事先实际测定或解析等推定得到的断路器（1）的切断特性以及磁通的衰减系数，并将衰减系数应用于基于断路器（1）的切断特性而得到的电流切断时磁通量，由此算出残留磁通量，本发明在所计算出的残留磁通量与稳态磁通的理论值相一致的电源电压相位上接通断路器（1）。
-
公开(公告)号：CN101414528B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200810125917.9
申请日：2008-06-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02H9/002 , Y10T307/826
Abstract: 本发明提供一种涌流控制装置，这种电力供给系统的控制部(13)响应闭合指令信号(φB)，当在R相的恒定磁通量与残留磁通量一致的时刻接通与R相对应的开关(2)后，在从R相的交流电压的零点延迟预定为0～30度之间的相位角的时刻，接通与S相以及T相对应的开关(3、4)，从而以使S相与T相的各自的恒定磁通量与残留磁通量之差为最低限度。因此，能够在带有极间电容器(5～7)的三相断路器(1)接通时抑制流入三相变压器(8)的励磁涌流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.028 seconds)
