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公开(公告)号:CN1003091B
公开(公告)日:1989-01-18
申请号:CN86102055
申请日:1986-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: F24F1/0033 , F24F1/0007 , F24F1/0014 , F24F13/32 , F24F2001/0037 , Y10S62/16
Abstract: 本发明的空调装置,是把下面具有空气吸入口和出风口的空调机本体设置在用框架组成四方格状的装配式天花板的一个四方格上,用装饰套堵住本体与框架之间的间隙,这样,可不必担心漏风,而且可改善安装条件和改善美观性。
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公开(公告)号:CN86102055A
公开(公告)日:1986-12-03
申请号:CN86102055
申请日:1986-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: F24F1/0033 , F24F1/0007 , F24F1/0014 , F24F13/32 , F24F2001/0037 , Y10S62/16
Abstract: 本发明的空调装置,是把下面具有空气吸入口和出风口的空调机本体设置在装配式天花板(用框架组成四方格状)的一个四方格内,用装饰罩堵住本体与框架之间的间隙,这样,可不必担心漏风,而且可改善安装条件和改善美观性。
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公开(公告)号:CN103000744A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201210329010.0
申请日:2012-09-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0232 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种能够提高响应速度以及效率的背面入射型半导体受光元件。在n型InP基板(l)上依次设置有n型InP层(2)、InGaAs光吸收层(3)、非掺杂InP层(4)。在非掺杂InP层(4)的一部分设置有掺杂Zn的p型杂质扩散区域(5)。n型InP层(2)和p型杂质扩散区域(5)经由InGaAs光吸收层(3)进行pn接合的部分是接收从n型InP基板(1)的背面入射的入射光的受光部(9)。以在平面视图中包围受光部(9)的方式在n型InP基板(1)的背面设置有槽(10)。
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