背面入射型半导体受光元件

    公开(公告)号:CN103000744A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210329010.0

    申请日:2012-09-07

    CPC classification number: H01L31/02327 H01L31/035281 H01L31/105 Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供一种能够提高响应速度以及效率的背面入射型半导体受光元件。在n型InP基板(l)上依次设置有n型InP层(2)、InGaAs光吸收层(3)、非掺杂InP层(4)。在非掺杂InP层(4)的一部分设置有掺杂Zn的p型杂质扩散区域(5)。n型InP层(2)和p型杂质扩散区域(5)经由InGaAs光吸收层(3)进行pn接合的部分是接收从n型InP基板(1)的背面入射的入射光的受光部(9)。以在平面视图中包围受光部(9)的方式在n型InP基板(1)的背面设置有槽(10)。

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