公开(公告)号：CN101449327B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780018438.0

申请日：2007-05-07

Applicant: 三菱工程塑料株式会社

Inventor： 佐佐木一雄 ,  秋原勋 ,  中野博

IPC: G11B7/26

CPC classification number: G11B7/266

Abstract: 本发明提供一种光记录介质基板的制造方法和一次写入多次读出型光记录介质的制造方法，在由酯交换法聚碳酸酯树脂构成的光记录介质基板的制造方法中，抑制在该基板上设置的记录层，特别是设置作为一次写入多次读出型光记录介质的记录层的色素层时的涂布不良。该光记录介质基板的制造方法，使光记录介质基板用树脂成形体与离子发生器发生的正离子和负离子接触，得到上述光记录介质基板，该光记录介质基板用树脂成形体是将由芳香族二羟基化合物和碳酸二酯通过酯交换法得到的粘度平均分子量25000以下的芳香族聚碳酸酯树脂成形得到的，该离子发生器具有周期性交替发生正离子和负离子的电极针部。并且，上述光记录介质的制造方法在由此得到的光记录介质基板上设置信息记录层。

公开(公告)号：CN101449327A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018438.0

申请日：2007-05-07

Applicant: 三菱工程塑料株式会社

Inventor： 佐佐木一雄 ,  秋原勋 ,  中野博

IPC: G11B7/26

CPC classification number: G11B7/266

Abstract: 本发明提供一种光记录介质基板的制造方法和一次写入多次读出型光记录介质的制造方法，在由酯交换法聚碳酸酯树脂构成的光记录介质基板的制造方法中，抑制在该基板上设置的记录层，特别是设置作为一次写入多次读出型光记录介质的记录层的色素层时的涂布不良。该光记录介质基板的制造方法，使光记录介质基板用树脂成形体与离子发生器发生的正离子和负离子接触，得到上述光记录介质基板，该光记录介质基板用树脂成形体是将由芳香族二羟基化合物和碳酸二酯通过酯交换法得到的粘度平均分子量25000以下的芳香族聚碳酸酯树脂成形得到的，该离子发生器具有周期性交替发生正离子和负离子的电极针部。并且，上述光记录介质的制造方法在由此得到的光记录介质基板上设置信息记录层。