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公开(公告)号:CN102448882A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201080023329.X
申请日:2010-06-25
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037 , C01B33/02 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅的制造方法,该制造方法的特征在于,其含有下述处理过程:使含有杂质的熔融硅与熔融盐在容器内接触,使该熔融硅中的杂质与熔融盐反应,将该杂质去除到体系外。