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公开(公告)号:CN101128563A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200680006387.5
申请日:2006-02-23
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及荧光体、其制造方法及其应用,所述荧光体的特征在于,所述荧光体含有以下述通式[1]表示的化学组成的结晶相,并且以在波长420nm~480nm的范围内具有峰值的光激发时,由下述式[2]计算出的发光强度的变化率的平均值为1.3以下。式[1]中,Ln表示选自由Y、Gd、Sc、Lu和La组成的组中的至少一种元素,M表示选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种元素,a、b分别为满足0.001≤a≤0.3、0≤b≤0.5的数。式[2]中,I(λ)为激发波长λnm处的荧光体的发光强度,I(λ+1)为激发波长(λ+1)nm处的荧光体的发光强度。(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12...[1]发光强度的变化率=[(I(λ+1)-I(λ))/I(λ)]2...[2]
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公开(公告)号:CN101128563B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200680006387.5
申请日:2006-02-23
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及荧光体、其制造方法及其应用,所述荧光体的特征在于,所述荧光体含有以下述通式[1]表示的化学组成的结晶相,并且以在波长420nm~480nm的范围内具有峰值的光激发时,由下述式[2]计算出的发光强度的变化率的平均值为1.3以下。式[1]中,Ln表示选自由Y、Gd、Sc、Lu和La组成的组中的至少一种元素,M表示选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种元素,a、b分别为满足0.001≤a≤0.3、0≤b≤0.5的数。式[2]中,I(λ)为激发波长λnm处的荧光体的发光强度,I(λ+1)为激发波长(λ+1)nm处的荧光体的发光强度。(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12 …[1]发光强度的变化率=[(I(λ+1)-I(λ))/I(λ)]2…[2]。
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