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公开(公告)号：CN118833827A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411065909.5
申请日：2021-01-25
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/141 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供二氧化硅粒子、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体装置的制造方法。所述二氧化硅粒子，通过场发射型扫描电子显微镜测定的圆形度系数的平均值为0.90以上，且所述圆形度系数的标准偏差为0.05以下。
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公开(公告)号：CN101218376A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680020909.7
申请日：2006-06-16
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社 , 日本陶瓷科技股份有限公司
IPC: C23C28/00 , C23C8/10 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/16 , C25D11/18 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C4/02 , C23C8/80 , C23C28/00 , C23C28/042 , C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/16 , C25D11/18 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种使抑制反应生成物堆积到半导体或平板显示器制造装置等的处理室内壁等上、因内壁等的腐蚀造成的金属污染、放出气体造成的工艺不稳定性等多个工艺成为可能的多功能制造装置系统及用于该系统的保护皮膜构造。在金属材料的表面上具有作为基底层的第1皮膜层，再形成200μm左右的第2皮膜层，该第1皮膜层具有通过母材的直接氧化形成的1μm以下膜厚的氧化物皮膜。通过该构成，可以使第2层的保护膜对离子和自由基具有耐蚀性，使第1层的氧化物皮膜起到防止因分子和离子扩散到第2层保护膜中使母材金属表面受到腐蚀的保护层的效果，降低各金属构件、工艺腔内表面对基板造成的金属污染。可以抑制因母材和第2层的保护膜界面的腐蚀造成的第2层保护膜密着力下降而导致的第2层保护膜的剥离。
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公开(公告)号：CN105073883A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018168.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09D163/00 , C08G59/5033 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/36 , C08K3/38 , C08K5/18 , C08K5/42 , C08K2003/222 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/83201 , H01L2224/83948 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。
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公开(公告)号：CN101198726B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680021492.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社
IPC: C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H01L21/3065
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115023408B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202180011041.9
申请日：2021-01-25
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/141 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种抑制二次凝聚、分散稳定性优异、且适于研磨的二氧化硅粒子、含有该二氧化硅粒子的硅溶胶以及含有该硅溶胶的研磨组合物。本发明涉及一种二氧化硅粒子，通过场发射型扫描电子显微镜测定的圆形度系数的平均值为0.90以上，且上述圆形度系数的标准偏差为0.05以下。
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公开(公告)号：CN115023408A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202180011041.9
申请日：2021-01-25
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/141 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种抑制二次凝聚、分散稳定性优异、且适于研磨的二氧化硅粒子、含有该二氧化硅粒子的硅溶胶以及含有该硅溶胶的研磨组合物。本发明涉及一种二氧化硅粒子，通过场发射型扫描电子显微镜测定的圆形度系数的平均值为0.90以上，且上述圆形度系数的标准偏差为0.05以下。
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公开(公告)号：CN105073883B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201480018168.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09D163/00 , C08G59/5033 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/36 , C08K3/38 , C08K5/18 , C08K5/42 , C08K2003/222 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/83201 , H01L2224/83948 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。
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公开(公告)号：CN101198726A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021492.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社
IPC: C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H01L21/3065
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。
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